发明公开
- 专利标题： 一种无源压电自供能单元结构的制备工艺
-
申请号： CN202010836348.X申请日： 2020-08-19
-
公开(公告)号： CN111952436A公开(公告)日： 2020-11-17
- 发明人: 王磊磊 , 何强 , 韩钰 , 姚德贵 , 王珂 , 张嵩阳 , 王广周 , 耿进锋 , 汲胜昌 , 肖伟民 , 王东晖
- 申请人： 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
- 申请人地址： 河南省郑州市二七区嵩山南路85号
- 专利权人： 国网河南省电力公司电力科学研究院,全球能源互联网研究院有限公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人： 国网河南省电力公司电力科学研究院,全球能源互联网研究院有限公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址： 河南省郑州市二七区嵩山南路85号
- 代理机构： 苏州知途知识产权代理事务所
- 代理商 张锦波
- 主分类号： H01L41/316
- IPC分类号： H01L41/316 ; H01L41/332 ; H01L41/113
摘要：
本发明涉及一种无源压电自供能单元结构的制备工艺，包括：在硅基片的正面、背面分别沉积氧化硅层、氮化硅层；对所述硅基片背面的氮化硅层和氧化硅层进行蚀刻，形成阵列图案；湿法腐蚀硅基片，在所述硅基片的背面形成阵列式的矩形空腔；在硅基片正面的所述氮化硅层上溅射下电极层；在所述下电极层上溅射压电薄膜，并为所述所述压电薄膜开设缝隙；在所述压电薄膜上溅射上电极层；采用深反应离子刻蚀，去除所述矩形空腔内的硅基底，释放压电薄膜。
公开/授权文献
- CN111952436B 一种无源压电自供能单元结构的制备工艺 公开/授权日：2022-03-29
IPC分类:
