利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

101 条记录 (耗时 0.023 秒)

    一种锆钛酸铅薄膜湿法刻蚀方法
    1.
    发明公开
    一种锆钛酸铅薄膜湿法刻蚀方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN115376906A

    公开(公告)日：2022-11-22

    申请号：CN202211139534.3

    申请日：2022-09-19

    申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    发明人： 武震宇 ,  苏泳全 ,  刘艺晨 ,  王栎皓

    IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L41/187 ,  H01L41/332 ,  H01L41/39

    摘要： 本发明提供一种锆钛酸铅薄膜湿法刻蚀方法，采用第一腐蚀液及第二腐蚀液，分别针对锆钛酸铅薄膜中的不同组元进行两步刻蚀，各步骤之间相对独立，易于操作控制不同组元的刻蚀速率，在提高刻蚀速率的同时，保证不同组元刻蚀速率的平衡；其中，将F‑的使用全部控制在采用第一腐蚀液的第一刻蚀中，在保证刻蚀效果的同时最大限度降低由F‑带来的侧侵蚀问题和对光刻胶的消耗问题，该湿法刻蚀方法有高精度的图形转移能力，侧侵蚀比小于1:1，为锆钛酸铅薄膜在MEMS领域的使用提供了一种有效的加工方法。本发明可提供高良率和高质量的图形化锆钛酸铅薄膜，能够满足MEMS制造中对锆钛酸铅薄膜图形化的工艺要求，设备及工艺条件简单，易于产能拓展。

    一种薄膜图形化工艺方法、复合薄膜及电子元器件
    2.
    发明授权
    一种薄膜图形化工艺方法、复合薄膜及电子元器件 有权

    公开(公告)号：CN112542379B

    公开(公告)日：2022-11-08

    申请号：CN202011431053.0

    申请日：2020-12-09

    申请人： 济南晶正电子科技有限公司

    发明人： 李真宇 ,  张秀全 ,  李洋洋 ,  杨超 ,  韩智勇

    IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/3213 ,  H01L41/187 ,  H01L41/332

    摘要： 本申请公开一种薄膜图形化工艺方法、复合薄膜及电子元器件，包括：由薄膜基体的离子注入面向薄膜基体内进行第一离子注入，在薄膜基体内形成薄膜层、分离层和余质层；将衬底基板与薄膜基体的离子注入面键合，得到第一键合体；对第一键合体热处理或机械拉扯处理，使余质层从第一键合体上剥离，得到第二键合体，第二键合体包括层叠的薄膜层和衬底基板；按照目标图形，对第二键合体中薄膜层进行刻蚀处理，得到具有目标图形的薄膜层；对经过刻蚀处理后的第二键合体退火处理。利用薄膜层内存在晶格损伤，从而薄膜层的物理特性有所衰减，因此，在退火处理前，按照目标图形，对第二键合体中薄膜层进行刻蚀处理，可以大大降低刻蚀难度，提高刻蚀速率。

    具有短波导结构的超声换能器及制造方法、超声检测装置
    3.
    发明公开
    具有短波导结构的超声换能器及制造方法、超声检测装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN114864806A

    公开(公告)日：2022-08-05

    申请号：CN202210623023.2

    申请日：2022-06-01

    申请人： 上海交通大学

    发明人： 王续博 ,  刘悦

    IPC分类号： H01L41/083 ,  H01L41/113 ,  H01L41/332 ,  H01L41/312 ,  A61B8/00 ,  H01L41/04

    摘要： 本申请公开一种具有短波导结构的超声换能器及其制造方法和超声检测装置，所述制造方法包括：提供第一基底，包括第一支撑层和形成于所述第一支撑层表面的第一器件层；图形化所述第一器件层，形成贯穿所述第一器件层的开口；提供第二基底，包括第二支撑层、位于所述第二支撑层上的第二器件层；将所述第二器件层朝向所述第一基底，键合于所述第一器件层表面；去除所述第二支撑层，在所述第二器件层背离所述第一器件层的一侧上形成压电传感单元，所述压电传感单元位置与所述开口位置相对；去除所述第一支撑层，暴露出所述开口，所述开口作为波导。上述制造方法能够形成具有短波导结构，适用于柔性超声换能器的大规模制造，提高超声换能器的性能。

    用于石英晶体的等离子体刻蚀方法
    5.
    发明公开
    用于石英晶体的等离子体刻蚀方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN114497349A

    公开(公告)日：2022-05-13

    申请号：CN202111659811.9

    申请日：2021-12-30

    申请人： 北京无线电计量测试研究所

    发明人： 王作羽 ,  潘立虎 ,  郑文强 ,  段友峰 ,  崔巍 ,  叶林 ,  刘小光 ,  王莉 ,  睢建平 ,  高远 ,  张秋艳

    IPC分类号： H01L41/332

    摘要： 本发明公开了一种用于石英晶体的等离子体刻蚀方法。该刻蚀方法包括：对衬底和掩蔽块进行选择，并将所述衬底设置于所述刻蚀腔内；将待刻蚀的石英晶体放置于所述衬底上，并根据需要将所述掩蔽块放置于所述石英晶体上；根据所述石英晶体的刻蚀深度需求，在所述刻蚀机上对刻蚀气体的种类、反应气体的体积混合比、刻蚀气体的流速、刻蚀腔的压强以及等离子体的功率进行控制，此后，开启所述刻蚀机以对所述石英晶体进行刻蚀。本发明不仅能够对石英晶体进行整体或者局部刻蚀，还能够保证刻蚀得到的石英晶体的精度和强度。

    石英谐振器晶片的加工方法
    7.
    发明授权
    石英谐振器晶片的加工方法 有权

    公开(公告)号：CN108231999B

    公开(公告)日：2021-07-02

    申请号：CN201711486646.5

    申请日：2017-12-29

    申请人： 唐山国芯晶源电子有限公司

    发明人： 周荣伟 ,  郑玉南 ,  狄建兴

    IPC分类号： H01L41/332 ,  H03H9/19

    摘要： 一种石英谐振器晶片的加工方法，将石英晶片按以下步骤加工处理：Ⅰ.镀金属膜：使用镀膜机在晶片板上全部镀铬，然后镀金，并且最终以薄膜的形式沉积在晶片板表面，镀膜机真空度0.35—0.45Pa，金的溅射功率为0.65kW，铬的溅射功率为0.4kW；Ⅱ.喷雾涂胶Ⅲ.软烘Ⅳ.掩膜对准和曝光；Ⅴ.曝光后烘焙；Ⅵ.显影；Ⅶ.坚膜烘焙；Ⅷ.去除金属膜；Ⅸ.BOE腐蚀。Ⅹ.去除光刻胶；Ⅺ.重复步骤Ⅱ‑Ⅷ；Ⅻ.裂片；ⅩⅢ.腐蚀、清洗；将晶片置于腐蚀机中，通过腐蚀液进行腐蚀，然后冲洗并干燥。本发明突破了机械式研磨晶片厚度限度30μm，约55MHz，而且腐蚀效果更好。

    压电器件的形成
    8.
    发明公开
    压电器件的形成 审中-实审

    公开(公告)号：CN112088438A

    公开(公告)日：2020-12-15

    申请号：CN201980028976.0

    申请日：2019-02-27

    申请人： 诺沃声波有限公司

    发明人： 大卫·休斯 ,  戴斯蒙德·吉布森 ,  丹尼尔·欧文

    IPC分类号： H01L41/047 ,  B06B1/06 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  H01L41/332

    摘要： 一种用于生产超声换能器或超声换能器阵列的方法，该方法包括：在衬底上设置或沉积压电材料层。压电材料是掺杂的、共沉积的或合金化的压电材料。压电材料包括：掺杂的、共沉积的或合金化的金属氧化物或金属氮化物，该金属氧化物或金属氮化物与钒或其化合物掺杂、共沉积或合金化；或者与过渡金属或其化合物掺杂、共沉积或合金化的氧化锌。可选地，压电材料层的沉积是通过例如使用包括掺杂或合金化的压电材料的溅射靶的溅射镀膜来实现的。在示例中，压电材料层使用高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)来沉积到衬底上。在压电材料层的沉积期间，可以使用衬底偏置(例如DC和/或RF)来获得进一步的增强。在另外的示例中，衬底在沉积压电材料层时设置在转鼓上。