一种晶体管器件及其应用和制备
摘要:
本发明公开一种晶体管器件及其应用和制备。公开的晶体管器件包含一沟道,沟道与晶体管器件的源极和漏极连接,沟道由奇数层二维铁电半导体材料构成。还公开一种利用该晶体管器件实现室温下产生负微分效应的方法,以及该种晶体管器件的制备方法。应用该晶体管器件可在室温下稳定的产生负微分效应。
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