基于一维光子晶体异质结构的太阳光谱分光-吸热薄膜
摘要:
本发明提供了一种基于一维光子晶体异质结构的太阳光谱分光‑吸热薄膜,其包括吸收涂层和一维光子晶体异质结构分光器,所述一维光子晶体异质结构分光器位于吸收涂层上;所述吸收涂层包括金属陶瓷层,所述一维光子晶体异质结构分光器为基于Si/SiO2光子晶体的异质结构多层膜。采用本发明的技术方案,可以有效地将太阳光谱分谱成一个光伏应用波段和两个光热应用波段,其中光伏波段的太阳能量用于光伏发电,光热波段的太阳能量用于集热发电,为全光谱太阳能的综合利用提供器件基础;可以在不用增加一维光子晶体重复单元的前提下,有效增加光伏应用波段的反射率,同时抑制两个光热波段反射率的提高。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/04 .用作光伏〔PV〕转换器件(制造中其测试入H01L21/66;制造之后其测试入H02S50/10)
H01L31/054 ..与光伏电池直接联合或结合的光学元件,例如,反光装置或集光装置
H01L31/055 ...在光吸收处,由与光伏电池直接联合或结合的光学元件,例如由发光材料、荧光集光体或上变频装置再发射不同波长的光
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