本发明公开了一种替代通孔的赝磁性隧道结单元制备方法，涉及磁性随机存储器技术领域，所述该赝磁性隧道结单元，包括赝磁性隧道结(Dummy‑MTJ)参考层、赝磁性隧道结(Dummy‑MTJ)势垒层，其中，赝磁性隧道结(Dummy‑MTJ)的势垒层需用其他导电率较好的材料代替，这里的材料优选Mg。该替代通孔的赝磁性隧道结单元制备方法，采用赝磁性隧道结(Dummy‑MTJ)替代磁性随机存储器(MRAM)的外围电路区域(Periphery)中的通孔(VIA)，同样可以完成电路连接。