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公开(公告)号：CN111987216B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910433648.0
申请日：2019-05-23
申请人： 上海磁宇信息科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种替代通孔的赝磁性隧道结单元制备方法，涉及磁性随机存储器技术领域，所述该赝磁性隧道结单元，包括赝磁性隧道结(Dummy‑MTJ)参考层、赝磁性隧道结(Dummy‑MTJ)势垒层，其中，赝磁性隧道结(Dummy‑MTJ)的势垒层需用其他导电率较好的材料代替，这里的材料优选Mg。该替代通孔的赝磁性隧道结单元制备方法，采用赝磁性隧道结(Dummy‑MTJ)替代磁性随机存储器(MRAM)的外围电路区域(Periphery)中的通孔(VIA)，同样可以完成电路连接。
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公开(公告)号：CN112652337B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201910959692.5
申请日：2019-10-10
申请人： 上海磁宇信息科技有限公司
摘要： 本申请提供一种存储器的行译码器，其主要结构在于，选择译码器、前置译码器与主译码器为多对多译码器结构，选择译码器与前置译码器受控于放电信号控制线以进行选址信号的输出或清除，驱动模块设置于选择译码器的输出端以调节所有字线驱动电路的选址与读/写控制电位，其各个输出连接对应字线驱动电路。通过选择译码器、前置译码器与主译码器依据输出选址信号，结合驱动模块转换读/写操作电位，及时序模块协调多个三态门传输电路的信号延迟，在缩减组件架构的行译码器结构下，实现字线驱动电路对字线数据的选择和控制。此行译码器具有结构简单、制造成本低、可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN111816224B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201910290608.5
申请日：2019-04-11
申请人： 上海磁宇信息科技有限公司
摘要： 本发明一种磁性隧道结存储阵列单元及其外围电路的制备方法，在存储阵列单元区域，采用在金属连线Mx之上，依次制作磁性隧道结底电极、磁性隧道结和磁性隧道结顶电极，磁性隧道结底电极、磁性隧道结和磁性隧道结顶电极依次对齐；在外围电路单元区域，采用在金属连线Mx之上，依次制作可电学导通的赝磁性隧道结底电极、可低电阻导通的赝磁性隧道结和赝磁性隧道结顶电极，并且赝磁性隧道结底电极、赝磁性隧道结、赝磁性隧道结顶电极依次对齐；在存储阵列单元区域的磁性隧道结顶电极和外围电路单元区域的赝磁性隧道结顶电极之上制作一层金属连线Mx+1以在外围电路单元区域和存储阵列单元区域分别实现从金属连线Mx到Mx+1之间的有效连接。
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公开(公告)号：CN112652702B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201910959701.0
申请日：2019-10-10
申请人： 上海磁宇信息科技有限公司
摘要： 本申请提供一种磁性随机存储器的磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构包括晶格隔断层的晶格转换多层设计，其强化界面各向异性的特性，同时实现具有面心立方晶体结构的反铁磁层到具有体心立方堆积参考层之间的晶格转换和强铁磁耦合，有利于磁性隧道结单元在磁学，电学和良率的提升以及器件的缩微化。
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公开(公告)号：CN111816760B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201910290606.6
申请日：2019-04-11
申请人： 上海磁宇信息科技有限公司
摘要： 本发明一种磁性随机存取器磁性存储单元及其形成方法，包括依次沉积的底电极、磁性隧道结和顶电极，沉积工艺在物理气相沉积工艺腔体中完成，在磁性隧道结内部按照超薄氧化层、非晶态缓冲层、晶态种子层、合成反铁层、合成反铁层‑参考层铁磁耦合层、参考层、势垒层、自由层和覆盖层的多层结构依次向上叠加。形成步骤包括：步骤1：提供表面抛光的带CMOS通孔的基底；步骤2：沉积底电极；步骤3：沉积磁性隧道结多层膜和顶电极；步骤4：选择350‑450℃对沉积之后的磁性隧道结结构单元退火，以使得参考层和自由层在NaCl结构FCC(001)势垒层的模板作用下从非晶结构转变成BCC(001)的晶体结构。
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公开(公告)号：CN110098320B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201810090020.0
申请日：2018-01-30
申请人： 上海磁宇信息科技有限公司
IPC分类号： H10N50/01
摘要： 本发明提供了一种刻蚀磁性隧道结导电硬掩模的方法，包括如下步骤：(1)提供表面抛光的带金属通孔的CMOS基底，并在基底上沉积底电极和磁性隧道结多层膜、导电硬模层的刻蚀阻挡层、导电硬掩模、导电硬掩模的掩模层；(2)采用光刻胶/底部抗反射层的双层结构或采用光刻胶/无机抗反射层/含碳膜层的三层结构图形化导电硬掩模图案，并使图案转移到导电硬掩模的掩模层顶部；(3)刻蚀导电硬掩模，并去掉残留物。本发明有利于MTJ单元阵列关键尺寸的控制和整个MRAM未来的继续缩微化，有利于器件的良率的提升。
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公开(公告)号：CN112652705B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201910960367.0
申请日：2019-10-10
申请人： 上海磁宇信息科技有限公司
摘要： 本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构中的反铁磁层设置铁磁超晶格层、反铁磁耦合层及磁矩稀释层的三层结构，所述反铁磁耦合层实现铁磁超晶格层和磁矩稀释层的反铁磁耦合，调节所述铁磁超晶格层，所述磁矩稀释层和所述参考层在垂直方向的饱和磁矩以调节其在所述自由层的漏磁场，其令磁性隧道结具有相对较佳的漏磁场写电流的调控能力，有利于磁性隧道结单元在磁学，电学和良率的提升以及器件的缩微化。
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公开(公告)号：CN110061126B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201810055457.0
申请日：2018-01-19
申请人： 上海磁宇信息科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种磁性随机存储器记忆单元及其制造方法，磁性随机存储器记忆单元包括底电极通孔层、空间层、种子层、垂直磁参考层、隧道势垒层、磁记忆层、氧化物覆盖层、金属顶覆盖层、刻蚀阻挡层、硬掩模层。制造方法为：(1)沉积上述膜层；(2)图形化记忆单元，刻蚀硬掩模层并停止在刻蚀阻挡层上；(3)刻蚀余下膜层；(4)电介质保护层覆盖刻蚀后的磁性隧道结单元，填充电介质填充层并将表面磨平；(5)最后在磨平的磁性隧道结单元上形成顶电极通孔层。本发明在磁参考层下面增加一层金属空间层将磁参考层的相对位置垫高，以便于更好地刻蚀干净磁性材料多层，使记忆单元具有更好的读写功能和产品的良莠率。
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公开(公告)号：CN112310271B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910677949.8
申请日：2019-07-25
申请人： 上海磁宇信息科技有限公司
摘要： 本申请提供一种磁性随机存储器的磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构的反铁磁层设置两铁磁超晶格层及其之间的垂直各向异性增强层，实现具有面心立方晶体结构的反铁磁层到具有体心立方堆积参考层之间的晶格转换和强铁磁耦合，有利于磁性隧道结单元在磁学，电学和良率的提升以及器件的缩微化。
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公开(公告)号：CN112635650B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201910950478.3
申请日：2019-10-08
申请人： 上海磁宇信息科技有限公司
摘要： 本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性存储器，所述磁性隧道结结构包括双层结构的参考层、垂直各向异性增强层、与设置于两方之间的晶格传输层共同构成参考层。本申请中由于垂直各向异性增强层的引入增强了参考的稳定性，进而有利于自由层在平行态和反平行态时，热稳定性的提升。同时，由于可以增加参考层的厚度，垂直隧穿磁阻比例(TMR)/结电阻面积积(RA)得以提升，有助于磁性存储器在磁学、电学和良率的提升，以及器件的进一步缩微。
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