发明公开
CN112002758A 半导体器件
审中-公开
- 专利标题： 半导体器件
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申请号： CN202010401894.0申请日： 2020-05-13
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公开(公告)号： CN112002758A公开(公告)日： 2020-11-27
- 发明人: 张星旭 , 金奇奂 , 郑秀珍 , 曹荣大
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 赵南; 张青
- 优先权： 10-2019-0061678 2019.05.27 KR
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/10 ; H01L29/08 ; H01L21/336
摘要：
一种半导体器件包括：在衬底上在第一方向上延伸的有源区，该有源区具有上表面和侧壁；多个沟道层，其在有源区上方以彼此竖直间隔开；栅电极，其在第二方向上延伸以与有源区交叉并部分地围绕所述多个沟道层；以及源极/漏极区，其在有源区上在栅电极的至少一侧并与所述多个沟道层接触，并且从有源区的侧壁延伸，并且在与所述多个沟道层当中与有源区相邻的最下沟道层相邻的第一区域中在第二方向上具有大宽度。
IPC分类:
