发明公开
- 专利标题: 一种MOSFET的有源驱动电路和方法
-
申请号: CN202010756981.8申请日: 2020-07-31
-
公开(公告)号: CN112054793A公开(公告)日: 2020-12-08
- 发明人: 余豪杰 , 杨波 , 李官军 , 陶以彬 , 殷实 , 李浩源 , 鄢盛驰 , 庄俊
- 申请人: 中国电力科学研究院有限公司 , 国家电网有限公司
- 申请人地址: 江苏省南京市鼓楼区南瑞路8号
- 专利权人: 中国电力科学研究院有限公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人: 中国电力科学研究院有限公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市鼓楼区南瑞路8号
- 代理机构: 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理商 徐国文
- 主分类号: H03K17/567
- IPC分类号: H03K17/567
摘要:
本发明提供一种MOSFET的有源驱动电路和方法,包括推挽模块、电阻模块和脉冲产生模块;推挽模块通过电阻模块连接被驱动MOSFET的栅极,所述脉冲产生模块一端连接被驱动MOSFET的栅极,另一端连接电阻模块;基于推挽模块产生的被驱动MOSFET的驱动电压以及脉冲产生模块基于采集的被驱动MOSFET的栅源极电压产生的脉冲信号为被驱动MOSFET提供可变的驱动电阻。本发明不需要增加驱动电阻,通过电阻模块为提供可变的驱动电阻,缩短了MOSFET的开关时间,降低了开关损耗和成本,且抑制效果好;本发明结构简单,能够在牺牲较小MOSFET开关损耗的基础上,有效抑制器件开关过程中的电流、电压过冲和振荡。
IPC分类: