- 专利标题: SRAM坏点处理方法、系统、装置和计算机设备
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申请号: CN202010921042.4申请日: 2020-09-04
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公开(公告)号: CN112083882A公开(公告)日: 2020-12-15
- 发明人: 李鹏 , 李立浧 , 于杨 , 姚浩 , 习伟 , 匡晓云 , 杨祎巍 , 黄开天 , 黄凯 , 井铭 , 蒋小文 , 陈伟祥
- 申请人: 南方电网数字电网研究院有限公司 , 南方电网科学研究院有限责任公司 , 浙江大学
- 申请人地址: 广东省广州市黄埔区中新广州知识城亿创街1号406房之86; ;
- 专利权人: 南方电网数字电网研究院有限公司,南方电网科学研究院有限责任公司,浙江大学
- 当前专利权人: 南方电网数字电网研究院有限公司,南方电网科学研究院有限责任公司,浙江大学
- 当前专利权人地址: 广东省广州市黄埔区中新广州知识城亿创街1号406房之86; ;
- 代理机构: 广州华进联合专利商标代理有限公司
- 代理商 张亚菲
- 主分类号: G06F3/06
- IPC分类号: G06F3/06 ; G06F11/00 ; G06F11/07 ; G06F12/02
摘要:
本申请涉及存储器技术领域,提供了一种SRAM坏点处理方法、系统、装置、计算机设备和存储介质。该方法包括:通过接收数据访问模块获得的针对SRAM的访问地址,与CPU扫描后在信息寄存器中存储的坏点地址进行匹配,得到访问地址匹配的目标坏点地址,获取与目标坏点地址对应的数据寄存器,从中读写对应的数据内容。本申请提供的方案,将CPU扫描到的坏点地址存储在信息寄存器,并预先为各个坏点地址配置对应的数据寄存器用于存储坏点地址对应的数据内容,使得在SRAM使用过程中,可以对SRAM的坏点情况进行动态管理,通过数据寄存器实现坏点地址对应的SRAM数据内容的读写,实现了对SRAM坏点的替换操作,提高了SRAM坏点管理的效率,并进一步提高了SRAM的可靠性。
公开/授权文献
- CN112083882B SRAM坏点处理方法、系统、装置和计算机设备 公开/授权日:2021-12-17