本发明提供了一种SnO2基同质结自驱动紫外光光电探测器及其制备方法，该光电探测器，包括：衬底；n‑NbSnO2薄膜层，位于衬底表面；Mg掺杂p型导电MgSnO2薄膜层，位于n‑NbSnO2薄膜层远离衬底一侧，Mg掺杂p型导电MgSnO2薄膜层在n‑NbSnO2薄膜层表面的正投影不完全覆盖n‑NbSnO2薄膜层；第一金属电极层，位于Mg掺杂p型导电MgSnO2薄膜层远离衬底一侧的表面；第二金属电极层，位于n‑NbSnO2薄膜层远离衬底一侧且未被Mg掺杂p型导电MgSnO2薄膜层覆盖。本发明的光电探测器具有高的重复性、稳定性，极低的暗电流、极低的功耗以及极快的响应速度，可以在零偏压下自驱动工作。