发明授权
- 专利标题： 分裂半导体基板的方法和设备
-
申请号： CN201980032529.2申请日： 2019-05-07
-
公开(公告)号： CN112119488B公开(公告)日： 2024-08-09
- 发明人: F·邓 , 欧岳生 , 高德丰 , N·Y-C·陈 , 和田优一 , S·R·V·克萨普拉嘎达 , C·高
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 汪骏飞; 侯颖媖
- 国际申请： PCT/US2019/031120 2019.05.07
- 国际公布： WO2019/221975 EN 2019.11.21
- 进入国家日期： 2020-11-13
- 主分类号： H01L21/78
- IPC分类号： H01L21/78 ; H01L21/76 ; H01L21/324 ; H01L21/67
摘要：
用于在半导体腔室中分裂基板的方法和设备。将半导体腔室压力调节至工艺压力，随后将基板加热至植入基板中的离子的成核温度，随后将基板的温度调节为低于离子的成核温度，以及保持温度直到发生基板的分裂。微波可用于针对工艺提供基板的加热。分裂传感器可通过在发生分裂时检测压力变化、声发射、基板内的变化和/或由植入离子释放出的残余气体来检测成功分裂。
公开/授权文献
- CN112119488A 分裂半导体基板的方法和设备 公开/授权日：2020-12-22
IPC分类:
