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公开(公告)号：CN106463456A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580009997.X
申请日：2015-01-14
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76841 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02266 , H01L21/321 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76849
摘要： 提供了用于在互连结构中的绝缘材料中所形成的金属接线层上形成钝化保护结构的方法。在一个实施例中，用于在半导体器件的互连结构中的金属接线上形成钝化保护的方法包括：在并入多腔室处理系统的处理腔室中的基板上所形成的互连结构中的由电介质块状绝缘层界定的金属接线上选择性地形成金属覆层；在处理腔室中，在基板上原位地形成阻挡层，其中所述阻挡层是金属电介质层；以及在多腔室处理系统中，在阻挡层上形成电介质覆层。
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公开(公告)号：CN106463396B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201580006488.1
申请日：2015-01-16
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/28
摘要： 描述一种在半导体器件中使用的互连件结构和用于制造所述互连件结构的方法。所述方法包括将基板定位在真空处理腔室中。所述基板具有暴露的铜表面和暴露的低k电介质表面。金属层形成在所述铜表面上方而不是在所述低k电介质表面上方。基于金属的电介质层形成在所述金属层和所述低k电介质层上方。
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公开(公告)号：CN112119488B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201980032529.2
申请日：2019-05-07
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/324 , H01L21/67
摘要： 用于在半导体腔室中分裂基板的方法和设备。将半导体腔室压力调节至工艺压力，随后将基板加热至植入基板中的离子的成核温度，随后将基板的温度调节为低于离子的成核温度，以及保持温度直到发生基板的分裂。微波可用于针对工艺提供基板的加热。分裂传感器可通过在发生分裂时检测压力变化、声发射、基板内的变化和/或由植入离子释放出的残余气体来检测成功分裂。
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公开(公告)号：CN106463396A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580006488.1
申请日：2015-01-16
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/28
摘要： 描述一种在半导体器件中使用的互连件结构和用于制造所述互连件结构的方法。所述方法包括将基板定位在真空处理腔室中。所述基板具有暴露的铜表面和暴露的低k电介质表面。金属层形成在所述铜表面上方而不是在所述低k电介质表面上方。基于金属的电介质层形成在所述金属层和所述低k电介质层上方。
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公开(公告)号：CN112119488A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201980032529.2
申请日：2019-05-07
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/324 , H01L21/67
摘要： 用于在半导体腔室中分裂基板的方法和设备。将半导体腔室压力调节至工艺压力，随后将基板加热至植入基板中的离子的成核温度，随后将基板的温度调节为低于离子的成核温度，以及保持温度直到发生基板的分裂。微波可用于针对工艺提供基板的加热。分裂传感器可通过在发生分裂时检测压力变化、声发射、基板内的变化和/或由植入离子释放出的残余气体来检测成功分裂。
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公开(公告)号：CN106463456B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201580009997.X
申请日：2015-01-14
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76841 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02266 , H01L21/321 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76849
摘要： 提供了用于在互连结构中的绝缘材料中所形成的金属接线层上形成钝化保护结构的方法。在一个实施例中，用于在半导体器件的互连结构中的金属接线上形成钝化保护的方法包括：在并入多腔室处理系统的处理腔室中的基板上所形成的互连结构中的由电介质块状绝缘层界定的金属接线上选择性地形成金属覆层；在处理腔室中，在基板上原位地形成阻挡层，其中所述阻挡层是金属电介质层；以及在多腔室处理系统中，在阻挡层上形成电介质覆层。
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