发明公开

光检测器
摘要:
本发明的课题在于,提供一种能防止由静电放电引起的破坏,预计提高100V以上的耐压的光检测器。本发明的光检测器的特征在于,在锗光电二极管(GePD)连接有由锗和硅构成的齐纳二极管。该光检测器共用光电二极管和齐纳二极管所具备的硅基板、下部包覆层、硅芯层、上部包覆层。
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