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公开(公告)号：CN108351469A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680067066.X
申请日：2016-11-17
申请人： 日本电信电话株式会社
CPC分类号： G01M11/33 , G01M11/085 , G01M11/086 , G01M11/30 , G02B6/12007 , G02B6/122 , G02B6/1228 , G02B6/124 , G02B6/125 , G02B6/13 , G02B6/34 , G02B2006/12061 , G02B2006/12085 , G02B2006/12107 , G02B2006/12138 , G02B2006/12147 , G02B2006/12164
摘要： 现有技术中硅光路的目视检测取决于目视确认者的感官判断，在充分进行小划痕的检测方面存在局限性。目视检查时看漏的具有划痕的不良芯片会被误判为合格并流向目视检查的下游工序。无法在整个光路的早期工序的阶段将不良芯片判断为不合格，会降低下游的制造/检查工序中的成品率，产品的制造检查成本会增加。本发明的光路除了实现所希望的功能的光路之外，还包含环绕整个光路并充分贴近光路的光波导的划痕检测用光波导和连接于检测用光波导的光栅耦合器。基于使用了光栅耦合器的检测用光波导的透射特性测定，能在切割成芯片之前的晶圆状态下高效地发现各个芯片内的划痕。能通过按芯片来设置独立的检测用光波导，并进而形成多个芯片共用的一根检测用光波导来分段地发现划痕。
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公开(公告)号：CN107924075B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201680045508.0
申请日：2016-08-03
申请人： 日本电信电话株式会社
摘要： 提供一种抑制因由掩模板偏离等引起的pn结位置的偏离而产生的相位调制时的啁啾且波形品质良好的光调制器。光调制器具备：用于施加一对差动信号电压的两根RF电极；提供固定电位的至少一根固定电位用电极；与所述RF电极或固定电位用电极相接的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层；以及光调制部，形成有以从一根光波导分支出来并沿着作为所述第一和第二导电型半导体层的边界的pn结部的方式配置的两根光波导，其特征在于，所述半导体层和电极配置为：由所述两根光波导中的所述pn结部的位置与设计值的偏离导致的相位变化的积分量，在两根光波导之间相等。
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公开(公告)号：CN108351469B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201680067066.X
申请日：2016-11-17
申请人： 日本电信电话株式会社
摘要： 现有技术中硅光路的目视检测取决于目视确认者的感官判断，在充分进行小划痕的检测方面存在局限性。目视检查时看漏的具有划痕的不良芯片会被误判为合格并流向目视检查的下游工序。无法在整个光路的早期工序的阶段将不良芯片判断为不合格，会降低下游的制造/检查工序中的成品率，产品的制造检查成本会增加。本发明的光路除了实现所希望的功能的光路之外，还包含环绕整个光路并充分贴近光路的光波导的划痕检测用光波导和连接于检测用光波导的光栅耦合器。基于使用了光栅耦合器的检测用光波导的透射特性测定，能在切割成芯片之前的晶圆状态下高效地发现各个芯片内的划痕。能通过按芯片来设置独立的检测用光波导，并进而形成多个芯片共用的一根检测用光波导来分段地发现划痕。
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公开(公告)号：CN112154545B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201980033846.6
申请日：2019-05-15
申请人： 日本电信电话株式会社
摘要： 本发明实现一种不需要检查用的追加回路而在波长和温度依赖特性中也能进行光检测器单独的光灵敏度、OE特性这样的光输入、电输出的特性评价检查的光检测器。一种光检测器(400)，在半导体基板之上形成有光吸收层(414和415)，对从半导体基板的基板面内的方向入射到所述光吸收层(414和415)的信号光进行检测，光检测器(400)的特征在于，光吸收层(414和415)具有在从基板面外的方向观察半导体基板的基板面时，不被连接于光吸收层(414和415)的光电流检测用的电极(417)覆盖的部分。
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公开(公告)号：CN112154545A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201980033846.6
申请日：2019-05-15
申请人： 日本电信电话株式会社
摘要： 本发明实现一种不需要检查用的追加回路而在波长和温度依赖特性中也能进行光检测器单独的光灵敏度、OE特性这样的光输入、电输出的特性评价检查的光检测器。一种光检测器(400)，在半导体基板之上形成有光吸收层(414和415)，对从半导体基板的基板面内的方向入射到所述光吸收层(414和415)的信号光进行检测，光检测器(400)的特征在于，光吸收层(414和415)具有在从基板面外的方向观察半导体基板的基板面时，不被连接于光吸收层(414和415)的光电流检测用的电极(417)覆盖的部分。
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公开(公告)号：CN112119507A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201980032956.0
申请日：2019-04-24
申请人： 日本电信电话株式会社
IPC分类号： H01L31/10 , G02B6/12 , H01L21/329 , H01L29/866
摘要： 本发明的课题在于，提供一种能防止由静电放电引起的破坏，预计提高100V以上的耐压的光检测器。本发明的光检测器的特征在于，在锗光电二极管(GePD)连接有由锗和硅构成的齐纳二极管。该光检测器共用光电二极管和齐纳二极管所具备的硅基板、下部包覆层、硅芯层、上部包覆层。
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公开(公告)号：CN107924075A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680045508.0
申请日：2016-08-03
申请人： 日本电信电话株式会社
摘要： 提供一种抑制因由掩模板偏离等引起的pn结位置的偏离而产生的相位调制时的啁啾且波形品质良好的光调制器。光调制器具备：用于施加一对差动信号电压的两根RF电极；提供固定电位的至少一根固定电位用电极；与所述RF电极或固定电位用电极相接的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层；以及光调制部，形成有以从一根光波导分支出来并沿着作为所述第一和第二导电型半导体层的边界的pn结部的方式配置的两根光波导，其特征在于，所述半导体层和电极配置为：由所述两根光波导中的所述pn结部的位置与设计值的偏离导致的相位变化的积分量，在两根光波导之间相等。
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