- 专利标题： 一种功率芯片封装用耐高温接头的低温快速无压制造方法
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申请号： CN202011010707.2申请日： 2020-09-23
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公开(公告)号： CN112122804B公开(公告)日： 2021-06-11
- 发明人: 张志昊 , 朱轶辰 , 操慧珺
- 申请人： 厦门大学 , 厦门大学深圳研究院 , 厦门城市职业学院(厦门市广播电视大学)
- 申请人地址： 福建省厦门市思明区思明南路422号; ;
- 专利权人： 厦门大学,厦门大学深圳研究院,厦门城市职业学院(厦门市广播电视大学)
- 当前专利权人： 厦门大学,厦门大学深圳研究院,厦门城市职业学院(厦门市广播电视大学)
- 当前专利权人地址： 福建省厦门市思明区思明南路422号; ;
- 代理机构： 厦门福贝知识产权代理事务所
- 代理商 陈远洋
- 主分类号： B23K26/60
- IPC分类号： B23K26/60 ; B23K26/38 ; B23K26/70 ; B23K1/00
摘要：
本发明提出了一种功率芯片封装用耐高温接头的低温快速无压制造方法，利用温度梯度、超声波及平板热压耦合工艺制造泡沫铜/金属间化合物复合耐高温焊锡预制片，及利用上述焊锡预制片结构实现功率芯片低温快速无压连接并获得大尺寸耐高温焊接接头的制造工艺。本发明制造的复合耐高温焊接预制片及耐高温焊接接头，具有制备工艺简单、焊接时间短、材料成本低廉等优点，所形成的耐高温焊接接头具有极高的剪切强度、良好的导电及导热性能。
公开/授权文献
- CN112122804A 一种功率芯片封装用耐高温接头的低温快速无压制造方法 公开/授权日：2020-12-25
