本发明提供一种双向导电的功率半导体器件结构，通过四个功率二极管的相互连接，实现了使非对称的功率开关器件达成双向耐压及双向导电的目的。与传统的共漏极MOS对管结构对比，不仅能够降低器件总面积，提高集成度，降低成本，还能降低器件总体导通电阻，降低导通功耗。并且，二极管支路的存在，还能再电路两端电压过高、MOSFET出现击穿时提供分流支路，降低MOSFET烧毁的风险。在电池管理系统等需要双向耐压、双向导电的场合有着巨大的应用前景。