发明公开
- 专利标题： RRAM、集成芯片及其形成方法
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申请号： CN202010592590.7申请日： 2020-06-24
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公开(公告)号： CN112151673A公开(公告)日： 2020-12-29
- 发明人: 林杏莲 , 吴启明 , 江法伸
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 优先权： 62/867,408 2019.06.27 US
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00 ; H01L27/24
摘要：
本发明的各个实施例针对电阻式随机存取存储器(RRAM)单元，该RRAM单元包括：顶电极阻挡层，被配置为阻挡氮或一些其它合适的非金属元素从RRAM单元的顶电极至RRAM单元的有源金属层的移动。阻挡非金属元素的移动可以防止有源金属层和顶电极之间的不期望的切换层的形成。不期望的切换层将增加RRAM单元的寄生电阻，从而使得顶电极阻挡层可以通过防止不期望的切换层的形成来减小寄生电阻。本发明的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。
公开/授权文献
- CN112151673B RRAM、集成芯片及其形成方法 公开/授权日：2024-10-18
IPC分类:
