- 专利标题: 用于构造5G基站射频滤波器的单晶压电谐振器及制备方法
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申请号: CN202010834606.0申请日: 2020-08-19
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公开(公告)号: CN112152585B公开(公告)日: 2024-09-03
- 发明人: 高安明 , 刘伟 , 姜伟
- 申请人: 浙江星曜半导体有限公司
- 申请人地址: 浙江省温州市浙南科技城创新创业新天地一期1号楼506室(自主申报)
- 专利权人: 浙江星曜半导体有限公司
- 当前专利权人: 浙江星曜半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省温州市浙南科技城创新创业新天地一期1号楼506室(自主申报)
- 代理机构: 上海段和段律师事务所
- 代理商 李佳俊; 郭国中
- 主分类号: H03H9/17
- IPC分类号: H03H9/17 ; H03H9/56
摘要:
本发明提供了一种用于构造5G基站射频滤波器的单晶压电谐振器及制备方法,包括:谐振器衬底1、保护层2、谐振器平板底电极3、单晶压电材料4、通孔金属5、第一凸起结构6、谐振器交叉上电极7以及第二凸起结构8;所述谐振器衬底1能够支撑用于构造5G基站射频滤波器的单晶压电谐振器;所述谐振器衬底1的电阻大于设定阈值;所述谐振器衬底1的晶格常数与单晶压电材料4相匹配;所述保护层2覆盖在谐振器平板底电极3和谐振器交叉上电极7之上;本发明通过采用介质材料背后刻蚀空气腔工艺,从而保证了单晶压电材料的绝对平整。此空气反射腔具有完美反射声波、加工方便、可靠性高等优点。
公开/授权文献
- CN112152585A 用于构造5G基站射频滤波器的单晶压电谐振器及制备方法 公开/授权日:2020-12-29
IPC分类: