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公开(公告)号：CN118971836A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411197856.2
申请日：2024-08-29
申请人： 浙江星曜半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种声表面波谐振器、滤波器以及电子设备，涉及谐振器领域，声表面波谐振器包括：压电衬底，压电衬底用于声电换能；叉指电极，叉指电极设置在压电衬底的一侧表面上，用于通过施加电压以激励压电衬底进行声电换能；叉指电极包括在第一方向上交替排布的第一指条和第二指条；第一指条和第二指条均沿第二方向延伸，第一方向和第二方向在平行于压电衬底所在的平面上相交；两个反射栅，反射栅与叉指电极设置在压电衬底的同一侧表面上，在第一方向上，叉指电极位于两个反射栅之间；反射栅在第一方向上具有第一尺寸，在第二方向上具有第二尺寸；第二尺寸与第一尺寸的比值大于第一设定值，以使得声表面波谐振器的体波位于通带之外。
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公开(公告)号：CN116979925B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202311008006.9
申请日：2023-08-10
申请人： 浙江星曜半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，以及应用该薄膜体声波谐振器的滤波器，该薄膜体声波谐振器包括基底和位于基底一侧依次排布的介质腔、第一电极、压电层和第二电极，在第二电极与压电层之间，和/或，在第一电极与压电层之间设置有第一间隙，第一间隙的至少一端为谐振器有源区域的边界，通过在第一间隙内设置至少一个介质块，且介质块同时与压电层以及第一间隙背离压电层一侧的电极相接触，将第一间隙分隔为至少两个子间隙，不仅可以提高第一间隙的物理强度，还使得第一间隙的高度可以更高，以更有效地反射声波，而且在压电层边界引入更多不连续的声阻抗变化，进一步增强对声波的反射，减小能量损耗，提升谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN118740102A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411114535.1
申请日：2024-08-14
申请人： 浙江星曜半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种声表面波谐振器、滤波器和电子设备，涉及射频技术领域，在相对设置的两条汇流条中至少一条汇流条相对于第一方向倾斜，以抑制横向杂散模式的基础上，进一步将与倾斜汇流条连接的假指沿第一方向相对的两条边中的至少一条边相对于第二方向倾斜，第一方向为与任一汇流条连接的电极指与假指的交替排列方向，第二方向为与一条汇流条连接的电极指和与另一条汇流条连接的假指相对设置的方向，如此，利用倾斜汇流条叠加倾斜假指，增强对谐振器带内横向杂散模式的抑制，从而可以减小汇流条的最佳倾斜角度，避免因汇流条的最佳倾斜角度过大而导致谐振器Q值、机电耦合系数以及有效面积的减小。
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公开(公告)号：CN118473358A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410759804.3
申请日：2024-06-13
申请人： 浙江星曜半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种声表面波谐振器、声表面波滤波器以及射频芯片，包括：压电衬底以及位于压电衬底第一侧的叉指换能器，在垂直于声表面波谐振器所在平面的方向上，叉指换能器包括至少一层金属合金层，金属合金层包括第一合金层以及位于第一合金层中的第一金属材料，第一金属材料用于提高金属合金层的功率耐受性，从而通过在第一合金层中掺杂第一金属材料的方式，提高金属合金层的功率耐受性，即提高叉指换能器的功率耐受性，进而提高声表面波谐振器的功率耐受性，使其可以满足工作在高频段范围时的功率耐受性要求，从而可以应用于高频段范围的射频芯片中，降低射频芯片的成本。
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公开(公告)号：CN118234125A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410326372.7
申请日：2024-03-21
申请人： 浙江星曜半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种多层基板结构、射频模组及电子设备，其中多层基板结构中包括n层基板以及绕线电感，其中，第m层为接地层；绕线电感的绕线范围为第1层至第1‑m/2层，并且，绕线电感的位置靠近第一功能器件的输入端且远离第二功能器件的输出端，使得绕线电感所产生的磁场区域在俯视方向上，不超出第一功能器件的范围由于限定了绕线电感所在的层数范围和位置，绕线电感所在的层数范围保证了实现足够大的电感值的同时，节省片上面积并提高电感的自振频率，绕线电感所在的位置保证了阻抗匹配不会发生偏移，不因电感绕线造成器件失配从而影响传输性能。
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公开(公告)号：CN118156151A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410344258.7
申请日：2024-03-25
申请人： 浙江星曜半导体有限公司
发明人： 姜伟
IPC分类号： H01L21/50 , H01L23/498 , H01L23/552 , H01L21/60
摘要： 本发明公开了一种封装结构及射频模组，涉及射频模组封装技术领域。通过在基板上设置金属体，从而在待屏蔽器件周围形成金属阵列，以及在待屏蔽器件上方形成包括金属层的盖板，使得竖直方向的金属阵列与水平方向的盖板组成金属屏蔽腔，实现对待屏蔽器件的屏蔽。没有复杂的内部屏蔽结构，没有特殊工艺即可形成金属屏蔽腔，从而可以灵活地完成对待屏蔽器件的屏蔽，工艺简单，效果显著，还能避免空间的浪费，有助于封装结构的小型化。
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公开(公告)号：CN117938113A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410130413.5
申请日：2024-01-30
申请人： 浙江星曜半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器，通过对基底和压电层之间的至少部分膜层交界面进行改进，使其形成粗糙面结构，在声表面波谐振器工作时产生的声表面波部分只在叉指电极所在区域的下方产生，并且沿着平行于基底所在平面的方向传播，并不会受到粗糙面结构的干扰，而至少有一部分分量是垂直于基底所在平面的杂波，例如体声波，才会受到粗糙面结构的干扰，粗糙面结构会对其进行反射和散射，进而避免这些杂波形成谐振，从而抑制这些杂波对信号传输的干扰，进而提高声表面波谐振器的Q值，减小杂波干扰和能量耗散，从而提升声表面波谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN117713740A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410036622.3
申请日：2024-01-09
申请人： 浙江星曜半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器，涉及半导体器件技术领域，通过在叉指电极的上方形成至少一层导热层，并对该导热层进行图形化处理以去除部分导热层，在该去除区域降低声速，从而在特定交界面位置(电极指条与对向汇流条，或电极指条与假电极指条)之间的间隙区域，即声速最大的区域边界形成降速以得到更大的声速差，从而通过反射杂波来抑制横向模式，并且通过优化去除区域的宽度在主声学模式传播方向上的变化，例如加权渐变等方式，以实现向不同方向进一步反射横向模式的目的，从而破坏其形成谐振的条件，从而来抑制杂波，避免能量耗散，最终提高声表面波谐振器的性能。并且该导热层的设置也可以在一定程度上使声表面波谐振器产生的热量更容易的散发出去，所以还可以提高表面波谐振器的最大功率耐受的效果。
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公开(公告)号：CN117240224A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311204275.2
申请日：2023-09-18
申请人： 浙江星曜半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种功率放大器的补偿方法、辅助电路和相关设备，所述辅助电路包括自偏置电路，所述自偏置电路由恒压源、第一放大管、第二放大管和第一电容组成当检测到所述功率放大器进入饱和状态时，所述第一放大管导通，通过第一放大管向所述功率放大器中的主功放提供电流补偿。通过此种设计方式，在所述功率放大器进入饱和状态时，自行开启，向主功放提供电流补偿，能够在不影响所述功率放大器的饱和功率的前提下，提升退回效率。
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公开(公告)号：CN117155334A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311188726.8
申请日：2023-09-14
申请人： 浙江星曜半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种声表面波谐振器及其制作方法和电子设备，辅助电极与第一叉指电极电连接，且辅助电极与第二叉指电极的至少部分区域绝缘交叠，使得辅助电极与第二叉指电极的至少部分区域之间形成了平板电容，而增加了声表面波谐振器的静电容，由此能够有效减小声表面波谐振器的设计面积。本发明提供的技术方案，在保证声表面波谐振器的性能较高的基础上，能够缩小声表面波谐振器的占用面积。
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