本申请公开了选择性发射极制备方法，包括获得N型硅片，并在N型硅片的正面沉积掩膜层；在掩膜层与金属栅线对应的位置形成窗口；对具有窗口的N型硅片进行扩散处理，以在具有窗口的N型硅片对应窗口的位置形成重掺杂区；去除掩膜层；对去除掩膜层后的N型硅片进行扩散处理，以在去除掩膜层后的N型硅片的正面形成轻掺杂区，得到选择性发射极。本申请通过形成掩膜层和两次扩散处理在N型硅片表面形成选择性发射极，重掺杂区方阻低，金属‑半导体接触电阻小，轻掺杂区的方阻高，复合速率小，短波响应好，使得太阳能电池的效率提升，且整个制备过程不引入任何杂质，也不需要额外增加其他设备，便于生产。本申请还提供一种太阳能电池及其制备方法。