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公开(公告)号：CN111945229B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202010811851.X
申请日：2020-08-13
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司 , 海宁正泰新能源科技有限公司
IPC分类号： C30B33/10 , C30B29/06 , C23C16/50 , C23C16/34 , C30B31/00 , C23C16/455 , C23C16/40 , H01L31/0236 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种单晶硅片的单面制绒工艺，包括以下步骤：A)将掩膜胶液涂覆至单晶硅片的背面，得到背面有掩膜涂层的单晶硅片；所述掩膜胶液包括以下重量份数的组分：氧化硅：0.1～1份，助剂：0.5～2份，木质素纤维：0.1～1份，阿拉伯胶：10～100份；B)将所述背面有掩膜涂层的单晶硅片在碱性试剂中制绒后进行酸洗，去除掩膜涂层，得到单面制绒的单晶硅片。本发明以氧化硅和树脂为主要成分，在很低的温度下即可制备得到掩膜涂层，能耗小，起阻挡和掩膜作用的为树脂及氧化硅，阻挡效果更好，氧化硅除起到掩膜左右，对后续掩膜去除也起到助溶效果。
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公开(公告)号：CN110729381B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911031257.2
申请日：2019-10-28
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司 , 海宁正泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种硅片表面的激光SE结构的制作方法，包括：预先设定在硅片表面制作激光SE结构图案的激光移动轨迹；其中，硅片为表面采用管式扩散技术，进行了磷源扩散掺杂的硅片；按照激光移动轨迹，控制照射在硅片表面的激光移动，制备细栅线图案，且控制激光的功率随着激光照射位置和硅片的中心之间的距离减小而增大，随着激光照射位置和硅片的中心之间的距离增大而减小。本申请中在硅片表面形成SE结构时，采用功率大小变化的激光照射，使得同一条细栅线对应的SE结构的方阻的均匀性增强，进而提高细栅线的导电性能，进而提高硅片的工作性能。本申请还提供了一种硅片表面的激光SE结构的制作装置、设备以及计算机可读存储介质。
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公开(公告)号：CN112670372A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011568253.0
申请日：2020-12-25
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司 , 海宁正泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种降低P型晶硅电池串联电阻的方法，包括：S1，对经过电注入或光注入衰减钝化处理的PERC电池施加反向偏压；S2，在所述PERC电池施加所述反向偏压的同时对所述PERC电池进行热退火。通过在PERC电池在经过高温PECVD，烧结，电注入或光注入衰减钝化处理之后，在施加反偏电压的同时进行热退火，促使H‑P对的分解和氢的再分布，从而解决串联电阻增大的问题，提升电池效率。
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公开(公告)号：CN112670354A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011501318.X
申请日：2020-12-17
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司 , 海宁正泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，针对现有技术钝化膜致密性和厚度均匀性差的问题，公开了提供一种高效钝化结构电池及其制备方法，包括P型晶硅、设于所述P型晶硅正面的两个正电极和设于所述P型晶硅背面的两个负电极，所述P型晶硅的背面设有SiO2层，所述SiO2层上设有Ga2O3/AlN/Ta2O5叠层钝化膜。本发明背面采用SiO2+Ga2O3/AlN/Ta2O5叠层钝化膜+氮氧化硅＋氮化硅复合钝化膜，通过电池端提升效率，所述Ga2O3/AlN/Ta2O5叠层钝化膜每层膜的固定负电荷密度都不同，且都低于氧化铝，多层叠加可以保证钝化效果的同时，可以缓解正电荷降低钝化带来的不利影像，改善PID。
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公开(公告)号：CN111483014A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010461896.9
申请日：2020-05-27
申请人： 海宁正泰新能源科技有限公司 , 浙江正泰太阳能科技有限公司
摘要： 本发明公开一种光伏三分体组件裁切设备，包括机台、驱动装置、裁切刀具、驱动电机、驱动滚轮组和模具，裁切刀具设置于驱动装置输出端，模具设置于机台上且位于裁切刀具下方，驱动滚轮组设置于机台侧边，用于将裁切后的材料带离，且驱动滚轮组与驱动电机转轴连接。本申请公开的光伏三分体组件裁切设备，通过机台承载封装材料，裁切刀具配合模具对封装材料进行裁切，并通过驱动电机和驱动滚轮组将封装材料带出，裁切后的封装材料完全符合接线盒接口结构，可以完美地对接线盒进行封装，避免了封装结构不符合接线盒接口结构造成的多余异物的情况。
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公开(公告)号：CN111341880A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010149849.0
申请日：2020-03-06
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司 , 海宁正泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/311 , H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池的制造方法，包括：对硅片进行制绒及扩散；在硅片的正面形成重掺杂区域并生成氧化层；利用酸性溶液去除硅片背面的硅磷玻璃并利用碱性溶液抛光；利用酸性溶液去除硅片正面的硅磷玻璃及重掺杂区域表面覆盖的氧化层；依次在硅片的背面沉积氧化铝膜、在硅片的正面沉积氮化硅减反射膜及在硅片的背面沉积氮化硅保护膜；利用激光去除硅片背面指定区域的叠层膜；印刷硅片两面的电极并烧结。该方法充分利用了臭氧的强氧化性，将LDSE电池在重掺杂区域的硅表面进行氧化，保护此区域在后续的碱抛光时不被腐蚀；同时，采用碱液可以进一步减少表面悬挂键密度，从而实现良好的背抛光，进而获得良好的电池性能，提升电池的效率。
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公开(公告)号：CN111129194A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911342513.X
申请日：2019-12-23
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司 , 海宁正泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/18 , H01L31/042
摘要： 本申请公开了一种黑色汇流条，包括：基材层；位于所述基材层第一表面的第一镍钴合金层；位于所述基材层第二表面的焊接层，其中，所述第二表面与所述第一表面相背。可见，本申请中的黑色汇流条在基材层的第一表面具有第一镍钴合金层，在基材层第二表面具有焊接层，第一镍钴合金层的颜色为黑色，即保证汇流条单面颜色为黑色，同时第一镍钴合金层为金属层，可以导电，并且当黑色汇流条需要搭焊且需保证黑色面朝向一个方向时，焊接层可以与黑色汇流条的黑色面进行焊接。此外，本申请还提供一种具有上述优点的黑色汇流条制作方法和全黑光伏组件。
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公开(公告)号：CN110660883A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910954693.0
申请日：2019-10-09
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司 , 海宁正泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068
摘要： 本申请公开了一种N型双面太阳能电池的制备方法，通过在硅基体表面进行硼扩散，形成PN结；在所述硅基体的背表面设置隧穿层；在所述隧穿层表面设置n型掺杂多晶硅层，得到太阳能电池前置物；将所述太阳能电池前置物进行退火处理；在经过退火处理的太阳能电池前置物的背面设置背面钝化层与背面减反层；在所述正面钝化层表面设置正面电极；在所述背面钝化层表面设置背面电极；所述背面电极的烧结温度的范围为600摄氏度至850摄氏度，包括端点值。本申请通过将所述正面电极与所述背面电极分开设置，同时降低了所述背面电极的烧结温度，避免了所述背面电极的浆料烧穿电池膜层的问题。本申请还提供了一种具有上述有益效果的N型双面太阳能电池。
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公开(公告)号：CN107093649B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201710193888.9
申请日：2017-03-28
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747
摘要： 本发明公开了一种HJT光伏电池的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供N型硅片，并对所述硅片进行制绒操作；在所述硅片的上表面依次沉积第一本征非晶硅层、N型非晶硅层以及氮化硅层；在所述硅片的下表面依次沉积第二本征非晶硅层和P型非晶硅层；在所述P型非晶硅层上形成背面减反层；形成正面接触金属电极；在所述背面减反层上进行丝网印刷。采用本发明提供的制备方法制备HJT光伏电池成本低、易操作，制备的电池转换效率高。
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公开(公告)号：CN110165007A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910497248.6
申请日：2019-06-10
申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/05 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种叠瓦电池串的连接方法，该方法包括：提供第一叠瓦电池串至第N叠瓦电池串；在第一叠瓦电池串至第N-1叠瓦电池串的第二正面主栅上焊接第一汇流端子，以及在第N叠瓦电池串的第二正面主栅和第二背面主栅上分别焊接第一汇流端子和第二汇流端子；以正面朝下的方式依次铺设第一叠瓦电池串至第N叠瓦电池串，其中，第n叠瓦电池串的第一汇流端子覆盖在第n-1叠瓦电池串的第二背面主栅上；将第n叠瓦电池串的第一汇流端子与第n-1叠瓦电池串的第二背面主栅进行焊接；其中，N是大于等于2的整数，n是小于等于N且大于等于2的整数。相应地，本发明还提供了一种叠瓦组件的制造方法。实施本发明可以有效降低翻转所造成的隐裂、裂片等不良影响。
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