Invention Grant
- Patent Title: 一种大尺寸X轴KTP晶体及其生长方法
-
Application No.: CN202011244405.1Application Date: 2020-11-10
-
Publication No.: CN112195511BPublication Date: 2022-04-19
- Inventor: 谭云东 , 张婷婷 , 杜曰强 , 方治文
- Applicant: 山东重山光电材料股份有限公司
- Applicant Address: 山东省淄博市淄川区罗村镇南韩村东
- Assignee: 山东重山光电材料股份有限公司
- Current Assignee: 山东重山光电材料股份有限公司
- Current Assignee Address: 山东省淄博市淄川区罗村镇南韩村东
- Agency: 山东舜源联合知识产权代理有限公司
- Agent 于晓晓
- Main IPC: C30B15/36
- IPC: C30B15/36 ; C30B29/22
Abstract:
本发明涉及非线性晶体材料技术领域，具体涉及一种大尺寸X轴KTP晶体及其生长方法，所述大尺寸X轴KTP晶体采用如下生长方法制得，以X面作为籽晶生长面，将籽晶浸入熔液中下种籽晶并生长，所述籽晶的X面、Y面和Z面相互垂直，且浸入熔液的X面与Z面相交的两条边为倒角边。本发明方法对籽晶形状和浸入熔剂的方向进行了创造性选择，能够提升X轴的生长速度，使获得的KTP晶体具备良好的光学均匀性、大的尺寸和更高的利用率。
Public/Granted literature
- CN112195511A 一种大尺寸X轴KTP晶体及其生长方法 Public/Granted day:2021-01-08
Information query
IPC分类:
