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公开(公告)号：CN115233287A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210959833.5
申请日：2022-08-11
Applicant: 山东重山光电材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种以氟化铯为助熔剂的β‑BBO晶体生长方法，包括以碳酸钡、硼酸为原料，以氟化铯为助熔剂，将原料及助熔剂装入铂金坩埚置于晶体生长炉中，升温至第一温度化料，降温至第二温度后向熔体中下入籽晶，晶体开始生长，继续降温至晶体生长结束，将晶体提离液面降温至室温即得。本发明提供的以氟化铯为助熔剂的β‑BBO晶体生长方法，采用氟化铯为助熔剂，可以降低熔体的粘度，降低β‑BBO晶体的饱和点，获得高质量的β‑BBO晶体；本发明提供的以氟化铯为助熔剂的β‑BBO晶体生长方法可制得尺寸为80mm×30mm的单晶，晶体尺寸大。
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公开(公告)号：CN112391678B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202011244403.2
申请日：2020-11-10
Applicant: 山东重山光电材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及非线性晶体材料技术领域，具体涉及一种大尺寸X面KTP晶体及其生长方法，所述大尺寸X面KTP晶体采用如下生长方法制得，以X面作为籽晶生长面，将籽晶浸入熔液中下种籽晶并生长，晶体生长过程中不提拉籽晶，所述籽晶的X面、Y面和Z面相互垂直，且浸入熔液的X面与Z面相交的两条边为倒角边。本发明方法对籽晶形状和浸入熔剂的方向进行了创造性选择，从而缩小KTP晶体在X轴、Y轴和Z轴三个方向上的生长速度差异，并最终获得具备良好的光学均匀性、大的尺寸和更高的利用率的KTP晶体。
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公开(公告)号：CN112195511A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011244405.1
申请日：2020-11-10
Applicant: 山东重山光电材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及非线性晶体材料技术领域，具体涉及一种大尺寸X轴KTP晶体及其生长方法，所述大尺寸X轴KTP晶体采用如下生长方法制得，以X面作为籽晶生长面，将籽晶浸入熔液中下种籽晶并生长，所述籽晶的X面、Y面和Z面相互垂直，且浸入熔液的X面与Z面相交的两条边为倒角边。本发明方法对籽晶形状和浸入熔剂的方向进行了创造性选择，能够提升X轴的生长速度，使获得的KTP晶体具备良好的光学均匀性、大的尺寸和更高的利用率。
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公开(公告)号：CN115233307A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210959839.2
申请日：2022-08-11
Applicant: 山东重山光电材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及晶体制备技术领域，具体涉及一种硼11‑LBO晶体的生长方法及应用，包括以碳酸锂、硼‑11酸为原料，以三氧化钼、三氧化钨为助熔剂，将原料及助熔剂装入铂金坩埚置于晶体生长炉中，升温至第一温度化料，降温至第二温度后向熔体中下入籽晶，晶体开始生长，继续降温至晶体生长结束，将晶体提离液面降温至室温即得。本发明采用氧化钼‑氧化钨作为助熔剂，得到的熔体粘度小，便于物料流动和传质，生长制得高质量的硼11‑LBO晶体且不易开裂；本发明制得高质量硼11‑LBO晶体，可以作为中子探测用晶体材料，解决目前中子散射探测器的需求。
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公开(公告)号：CN114214722A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111535697.9
申请日：2021-12-15
Applicant: 山东重山光电材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高质量大尺寸LBO晶体的制备方法，属于晶体制备的技术领域。本发明是将原料混合均匀后置于带盖的坩埚中，然后将其置于晶体生长炉内，升温化料；种晶后，采用向上提拉的生长方式，经过程序降温生长获得高质量的LBO晶体；所述原料包括碳酸锂和硼酸。本发明通过在坩埚上加盖子的方法可以有效避免环境污染物进入熔液中，减少挥发物的形成和损失；同时在晶体生长过程中通过控制一定向上提拉速度，有效避免了晶体包料和开裂现象，获得高质量LBO晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112391678A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011244403.2
申请日：2020-11-10
Applicant: 山东重山光电材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及非线性晶体材料技术领域，具体涉及一种大尺寸X面KTP晶体及其生长方法，所述大尺寸X面KTP晶体采用如下生长方法制得，以X面作为籽晶生长面，将籽晶浸入熔液中下种籽晶并生长，晶体生长过程中不提拉籽晶，所述籽晶的X面、Y面和Z面相互垂直，且浸入熔液的X面与Z面相交的两条边为倒角边。本发明方法对籽晶形状和浸入熔剂的方向进行了创造性选择，从而缩小KTP晶体在X轴、Y轴和Z轴三个方向上的生长速度差异，并最终获得具备良好的光学均匀性、大的尺寸和更高的利用率的KTP晶体。
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公开(公告)号：CN115233286A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210959686.1
申请日：2022-08-11
Applicant: 山东重山光电材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种以氧化铯为助熔剂的β‑BBO晶体生长方法，包括以碳酸钡、硼酸为原料，以氧化铯为助熔剂，将原料及助熔剂装入铂金坩埚置于晶体生长炉中，升温至第一温度化料，降温至第二温度后向熔体中下入籽晶，晶体开始生长，继续降温至晶体生长结束，将晶体提离液面降温至室温即得。本发明提供的以氧化铯为助熔剂的β‑BBO晶体生长方法，采用氧化铯为助熔剂，可以降低熔体的粘度，降低β‑BBO晶体的饱和点，获得高质量的β‑BBO晶体；本发明提供的以氧化铯为助熔剂的β‑BBO晶体生长方法可制得尺寸为40mm×30mm的单晶，晶体尺寸大。
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公开(公告)号：CN112195511B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202011244405.1
申请日：2020-11-10
Applicant: 山东重山光电材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及非线性晶体材料技术领域，具体涉及一种大尺寸X轴KTP晶体及其生长方法，所述大尺寸X轴KTP晶体采用如下生长方法制得，以X面作为籽晶生长面，将籽晶浸入熔液中下种籽晶并生长，所述籽晶的X面、Y面和Z面相互垂直，且浸入熔液的X面与Z面相交的两条边为倒角边。本发明方法对籽晶形状和浸入熔剂的方向进行了创造性选择，能够提升X轴的生长速度，使获得的KTP晶体具备良好的光学均匀性、大的尺寸和更高的利用率。
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公开(公告)号：CN114262933A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111547882.X
申请日：2021-12-16
Applicant: 山东重山光电材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种硼10‑LBO晶体的生长方法，属于晶体制备的技术领域。本发明以碳酸锂和硼‑10酸为原料，三氧化钼和三氧化钨为助熔剂，在晶体生长炉中加热熔解后，加入籽晶，经过降温生长获得硼10‑LBO晶体。本发明解决了硼10‑LBO晶体容易开裂的问题，原因是采用氧化钼‑氧化钨为新型的助熔剂时，熔体粘度较小，便于物料流动和传质，生长出高质量的硼10‑LBO晶体且不易开裂。使用本发明的晶体生长方法获得的硼10‑LBO晶体，可以作为中子探测用晶体材料，解决目前中子散射探测器的需求。
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公开(公告)号：CN211497857U
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201922336116.3
申请日：2019-12-20
Applicant: 山东重山光电材料股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种助熔剂法晶体生长用的搅拌桨，涉及助熔剂法晶体生长设备技术领域。包括搅拌桨叶、搅拌轴和连接部件，搅拌桨叶设置在搅拌轴的一端，连接部件设置在搅拌轴的另一端。本实用新型提供的搅拌桨，在进行搅拌操作前，铂金坩埚顶部放置中间留有圆孔的铂金坩埚盖，搅拌时，将搅拌桨从铂金坩埚盖圆孔放入熔体面内，开始搅拌。有效避免了其他杂质进入熔体中，减少了二次污染，保证了晶体生长质量。
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