Invention Publication
- Patent Title: 一种用于对芯片使用寿命进行测试的方法及系统
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Application No.: CN202010916320.7Application Date: 2020-09-03
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Publication No.: CN112214339APublication Date: 2021-01-12
- Inventor: 曹永峰 , 翟峰 , 赵东艳 , 原义栋 , 梁晓兵 , 李保丰 , 王楠 , 许斌 , 孔令达 , 徐萌 , 李奇 , 董之微 , 朱钰 , 于同伟 , 卢岩
- Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 北京智芯微电子科技有限公司
- Applicant Address: 北京市海淀区清河小营东路15号
- Assignee: 中国电力科学研究院有限公司,国家电网有限公司,国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院,北京智芯微电子科技有限公司
- Current Assignee: 中国电力科学研究院有限公司,国家电网有限公司,国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院,北京智芯微电子科技有限公司
- Current Assignee Address: 北京市海淀区清河小营东路15号
- Agency: 北京工信联合知识产权代理有限公司
- Agent 贾银秋
- Main IPC: G06F11/00
- IPC: G06F11/00 ; G06F11/26 ; G06F11/36

Abstract:
本发明公开了一种用于对芯片使用寿命进行测试的方法及系统,其中方法包括:S1,通过测试软件发起被测芯片的写入数据指令,向被测芯片的寄存器写入模拟测试数据,对写入的所述模拟测试数据的正确性进行判断,获取判断结果;S2,当判断结果为所述模拟测试数据正确时,所述被测芯片执行初始化指令后执行步骤S1;或者当判断结果为所述模拟测试数据错误时,结束对被测芯片的测试,并对所述被测芯片的寿命周期进行计算:设一个测试周期的被测芯片的写入模拟测试数据的次数为S,用电信息采集系统抄读的频率不少于V min/次,则被测芯片寿命使用周期的计算结果T=S*V min。
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