发明公开
- 专利标题: 一种三电极结构的湿度传感器芯片
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申请号: CN202010011995.7申请日: 2020-01-07
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公开(公告)号: CN112229878A公开(公告)日: 2021-01-15
- 发明人: 尹海宏 , 赵晨媛 , 王志亮 , 宋长青 , 施天宇 , 印川
- 申请人: 南通大学
- 申请人地址: 江苏省南通市崇川区啬园路9号
- 专利权人: 南通大学
- 当前专利权人: 南通大学
- 当前专利权人地址: 江苏省南通市崇川区啬园路9号
- 代理机构: 南京苏科专利代理有限责任公司
- 代理商 范丹丹
- 主分类号: G01N27/12
- IPC分类号: G01N27/12 ; G01N27/22 ; C23C14/04 ; C23C14/14
摘要:
本发明揭示了一种三电极结构的湿度传感器芯片,该湿度传感器芯片包括湿度敏感模块、测量电路模块、微处理单元MCU;湿度敏感模块包括湿度敏感材料、衬底、第一电极、第二电极和第三电极;湿度敏感材料、衬底、第一电极、第二电极和第三电极构成三电极结构的湿度敏感型电容‑‑电阻复合结构;第一电极、湿度敏感材料、衬底、第三电极构成电容器结构,湿度敏感材料、衬底为电容器的复合介电层;第二电极、湿度敏感材料、衬底、第三电极也构成电容器结构,湿度敏感材料、衬底为电容器的介电层;第一电极、湿度敏感材料、第二电极构成湿度敏感电阻(湿敏电阻)结构,湿度敏感材料作为湿度敏感电阻(湿敏电阻)的湿度敏感材料;所述衬底是具备压电效应的晶体材料。
公开/授权文献
- CN112229878B 一种三电极结构的湿度传感器芯片 公开/授权日:2021-08-10