发明公开
- 专利标题： 包括贯穿基底过孔的半导体器件
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申请号： CN202010098518.9申请日： 2020-02-18
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公开(公告)号： CN112242365A公开(公告)日： 2021-01-19
- 发明人: 朴明珠 , 黄载元 , 文光辰 , 朴建相
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道水原市
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道水原市
- 代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 尹淑梅; 刘灿强
- 优先权： 10-2019-0086635 2019.07.17 KR
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L25/18 ; H01L21/768
摘要：
公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底；第一贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底，第一贯穿基底过孔具有第一高宽比；以及第二贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底。第二贯穿基底过孔具有大于第一高宽比的第二高宽比，并且第一贯穿基底过孔和第二贯穿基底过孔中的每个包括第一导电层和第二导电层。第一贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度小于第二贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度。