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公开(公告)号：CN117457609A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310349144.7
申请日：2023-03-31
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
摘要： 一种半导体器件可以包括：下结构，包括第一衬底、第一衬底上的第一焊盘、以及包围第一焊盘的第一绝缘层；以及上结构，包括第二衬底、第二衬底上的第二焊盘、以及包围第二焊盘的第二绝缘层。第一焊盘和第二焊盘中的每一个可以包括第一部分和第一部分上的第二部分。第二部分可以包括与第一部分相同的金属材料。第一焊盘的第二部分可以与第二焊盘的第二部分接触，并且第一绝缘层可以与第二绝缘层接触。
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公开(公告)号：CN114068454A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110549061.3
申请日：2021-05-19
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/528
摘要： 提供了一种半导体器件和一种半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面；有源图案，所述有源图案从所述半导体衬底的所述第一表面突出，所述有源图案包括源极/漏极区；电源轨，所述电源轨电连接到所述源极/漏极区；电力配送网络，所述电力配送网络设置在所述半导体衬底的所述第二表面上；和穿透通路结构，所述穿透通路结构穿透所述半导体衬底并且电连接到所述电源轨和所述电力配送网络。所述穿透通路结构包括：第一导电图案，所述第一导电图案电连接到所述电源轨；和第二导电图案，所述第二导电图案电连接到所述电力配送网络。所述第一导电图案包括与所述第二导电图案不同的材料。
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公开(公告)号：CN112447641A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010511762.3
申请日：2020-06-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/485 , H01L25/07
摘要： 本公开的多个方面涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括：晶体基底，具有在竖直方向上彼此背对的第一表面和第二表面；以及绝缘层，设置在晶体基底的第一表面上。半导体器件还可以包括：蚀刻停止层，插置在晶体基底与绝缘层之间并且接触晶体基底和绝缘层；以及导电通孔结构，穿透晶体基底和绝缘层。半导体器件还可以包括绝缘分隔层，所述绝缘分隔层与导电通孔结构水平相邻地设置，并具有内壁和外壁。绝缘分隔层可以包括设置在导电通孔结构与晶体基底之间的第一部分和设置在导电通孔结构与蚀刻停止层之间的第二部分。
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公开(公告)号：CN115568227A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210785277.4
申请日：2022-06-29
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H10B80/00 , H01L25/18 , H01L23/373 , H01L23/544
摘要： 一种半导体封装，包括：第一结构，包括第一绝缘层和穿透所述第一绝缘层的第一接合焊盘；以及第二结构，在所述第一结构上，所述第二结构包括：第二绝缘层，被接合到所述第一绝缘层；接合焊盘结构，穿透所述第二绝缘层，被接合到所述第一接合焊盘；以及测试焊盘结构，穿透所述第二绝缘层，所述测试焊盘结构包括：测试焊盘，在穿透所述第二绝缘层的开口中，并且所述测试焊盘具有带有平坦表面的突出部；以及接合层，填充所述开口并且覆盖所述测试焊盘和所述平坦表面，所述测试焊盘的所述突出部从与所述接合层接触的表面延伸，所述突出部的所述平坦表面在所述开口之中并且与所述接合层和所述第一绝缘层之间的界面间隔开。
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公开(公告)号：CN112242365A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010098518.9
申请日：2020-02-18
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/48 , H01L25/18 , H01L21/768
摘要： 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底；第一贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底，第一贯穿基底过孔具有第一高宽比；以及第二贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底。第二贯穿基底过孔具有大于第一高宽比的第二高宽比，并且第一贯穿基底过孔和第二贯穿基底过孔中的每个包括第一导电层和第二导电层。第一贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度小于第二贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度。
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