发明公开
- 专利标题: 一种高储氢密度镁基储氢材料的制备方法
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申请号: CN202010996711.4申请日: 2020-09-21
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公开(公告)号: CN112265957A公开(公告)日: 2021-01-26
- 发明人: 王泽渊 , 曾辉 , 张浩 , 程臣 , 陈思安
- 申请人: 武汉船用电力推进装置研究所(中国船舶重工集团公司第七一二研究所)
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区南湖汽校大院
- 专利权人: 武汉船用电力推进装置研究所(中国船舶重工集团公司第七一二研究所)
- 当前专利权人: 武汉船用电力推进装置研究所(中国船舶重工集团公司第七一二研究所)
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区南湖汽校大院
- 代理机构: 武汉凌达知识产权事务所
- 代理商 刘念涛; 宋国荣
- 主分类号: C01B3/00
- IPC分类号: C01B3/00
摘要:
本发明公开了一种高储氢密度镁基储氢材料的制备方法,采用变温机械球磨工艺,将MgH2与活化好的TiFe合金以不同比例在不同的填充气体下进行渐进式变温机械球磨,实现一种逐步渐进的温和的球磨条件,得到MgH2‑TiFe纳米镁基储氢材料。所得储氢材料的吸放氢温度显著降低,起始放氢温度为466 K,放氢峰值温度为552 K。纳米氢化镁制备工艺操作简便,操作温度低,解决了以往制备纳米氢化镁所需操作温度高、氢化物晶粒偏大的问题,同时改善了纳米镁基储氢材料的充放氢性能,具有良好的发展前景。
公开/授权文献
- CN112265957B 一种高储氢密度镁基储氢材料的制备方法 公开/授权日:2022-07-29