发明公开
- 专利标题： 半导体金属氧化物薄膜及其后处理方法和应用
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申请号： CN202011177963.0申请日： 2020-10-29
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公开(公告)号： CN112289935A公开(公告)日： 2021-01-29
- 发明人: 冯治华 , 邵君
- 申请人： 无锡极电光能科技有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市锡山经济开发区东部园区大成路1098
- 专利权人： 无锡极电光能科技有限公司
- 当前专利权人： 无锡极电光能科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市锡山经济开发区东部园区大成路1098
- 代理机构： 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 周慧云
- 主分类号： H01L51/48
- IPC分类号： H01L51/48 ; H01L51/42 ; H01L51/44
摘要：
本发明公开了半导体金属氧化物薄膜及其后处理方法和应用，所述方法包括：(1)制备离子水溶液；(2)将半导体金属氧化物薄膜浸入50‑90℃的所述离子水溶液中，清洗，干燥。该方法处理得到的半导体金属氧化物薄膜的亚结构更加一致均匀，膜层均一性、平整度显著提高，有利于后续膜层的沉积，同时有利于提高界面上氧化物与钙钛矿的结合，抑制电子空穴复合，从而提高钙钛矿太阳能电池转化效率。
IPC分类:
