半导体金属氧化物薄膜及其后处理方法和应用

    公开(公告)号:CN112289935A

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN202011177963.0

    申请日:2020-10-29

    发明人: 冯治华 邵君

    IPC分类号: H01L51/48 H01L51/42 H01L51/44

    摘要: 本发明公开了半导体金属氧化物薄膜及其后处理方法和应用,所述方法包括:(1)制备离子水溶液;(2)将半导体金属氧化物薄膜浸入50‑90℃的所述离子水溶液中,清洗,干燥。该方法处理得到的半导体金属氧化物薄膜的亚结构更加一致均匀,膜层均一性、平整度显著提高,有利于后续膜层的沉积,同时有利于提高界面上氧化物与钙钛矿的结合,抑制电子空穴复合,从而提高钙钛矿太阳能电池转化效率。

    具有卷带式连续进料功能的钙钛矿膜制备系统和方法

    公开(公告)号:CN115747723A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211109613.X

    申请日:2022-09-13

    摘要: 本发明公开了一种具有卷带式连续进料功能的钙钛矿膜制备系统和方法。该系统包括卷带装置、喷涂装置、预风干装置、抽真空干燥装置和蒸镀装置,卷带装置包括辊轮和卷带,辊轮转动带动卷带循环转动,沿着卷带转动的方向,卷带上依次限定出喷涂区、预风干区、真空干燥区和蒸镀区,设在喷涂区的喷涂装置将前驱体溶液喷涂至卷带上形成湿膜,设在预风干区的预风干装置对进入风干区的湿膜进行预风干,设在真空干燥区的抽真空干燥装置将进入真空干燥区的预风干后湿膜干燥成干膜,设在蒸镀区的蒸镀装置将干膜升华沉积在基片上。该系统实现了将前驱体原料源源不断地运至蒸镀装置制备钙钛矿膜且前驱体原料更换容易,大大提高了设备的利用率和生产效率。

    钙钛矿吸收层的制备方法及钙钛矿太阳能电池的加工方法

    公开(公告)号:CN110098333B

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN201910380503.9

    申请日:2019-05-08

    发明人: 冯治华 李明

    IPC分类号: H01L51/42 H01L51/48

    摘要: 本发明提供一种钙钛矿吸收层的制备方法及钙钛矿太阳能电池的加工方法。其中该钙钛矿吸收层的制备方法,包括如下步骤:在气体发生腔内形成含有气态有机源的工艺气或者含有无机源的工艺气,并控制工艺气的温度达到预设工艺温度;将工艺气自气体发生腔引入反应腔,使反应腔内的压力达到预设反应压力、温度达到预设反应温度;将载有无机薄膜的衬底置入反应腔内,使无机薄膜与气态有机源或无机源反应,从而在衬底上形成钙钛矿吸收层。本发明提供的钙钛矿吸收层的制备方法,在独立的密闭腔室内形成气态有机源或无机源以及进行气固反应,降低反应初期因气态有机源或无机源浓度不均所造成的影响,提高钙钛矿吸收层的质量。

    制备钙钛矿电池的方法及其用途
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115224200A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210715966.8

    申请日:2022-06-22

    IPC分类号: H01L51/48 H01L51/42

    摘要: 本发明公开了制备钙钛矿电池的方法及其用途。该方法包括:对底电极层进行P1激光刻蚀,并标记P2刻蚀和P3刻蚀定位点;形成第一载流子传输层、钙钛矿光响应层和第二载流子传输层并基于P2刻蚀定位点进行P2激光刻蚀;形成顶电极层并基于P3刻蚀定位点进行P3激光刻蚀,得到具有串联结构的钙钛矿电池组件,P1激光刻蚀、P2激光刻蚀和P3激光刻蚀中分别独立地利用分光系统对激光光源发射出的激光进行分光处理,以得到多条相互平行且垂直于待刻蚀层的子光束,同时可结合聚焦刻蚀工艺利用多条子光束形成同一刻蚀线或多条间隔布置的刻蚀线。采用该方法可精确控制P1、P2和P3线的线宽,降低钙钛矿电池的死区面积,提高光电转换效率,简化刻蚀工艺,提高生产效率。

    钙钛矿吸收层的光学检测设备及方法

    公开(公告)号:CN114965385A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210575202.3

    申请日:2022-05-24

    IPC分类号: G01N21/59 G01N21/31 G01B21/00

    摘要: 本发明涉及光伏技术领域,具体而言,涉及一种钙钛矿吸收层的光学检测设备及方法。本发明的钙钛矿吸收层的光学检测设备,包括检测系统和光信号处理系统;所述检测系统包括传送装置、第一线光源发射装置、第二线光源发射装置、第一位置传感器、第二位置传感器、第一光接收器和第二光接收器,所述检测系统置于密闭舱中;所述第一线光源发射装置用于提供第一线光源,所述第二线光源发射装置用于提供第二线光源;所述第一线光源为蓝绿色光源,所述第二线光源为蓝紫色光源。本发明的设备可以判定钙钛矿吸收层是否存在异常,以及分析异常的原因,可判定钙钛矿吸收层中是否存在PbI2和δ‑FAPbI3。

    一种钙钛矿电池组件的制造方法及制得的钙钛矿电池组件

    公开(公告)号:CN115548220A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211209700.2

    申请日:2022-09-30

    IPC分类号: H01L51/48 H01L51/42 H01L51/44

    摘要: 本发明提供了一种钙钛矿电池组件的制造方法及制得的钙钛矿电池组件,所述制造方法在第一电荷传输层上设置下保护层然后进行P2激光刻蚀,且控制所述P2激光刻蚀为先使用高频低功率的第一激光进行第一刻蚀,再使用低频高功率的第二激光进行第二刻蚀,并在设置上保护层和顶电极之后使用高频低功率的第三激光进行P3激光刻蚀。通过采用所述制造方法可以有效降低P2线槽两侧的热影响,减少火山口缺陷,有效改善P2线槽的平整性及洁净度,有利于增强组件内界面的电荷传输能力;所形成的P3线槽只刻蚀顶电极及两个保护层,不损伤其他膜层,避免了钙钛矿层与水氧之间的反应,提高了组件的稳定性,最终提高组件的发电效率。

    一种绝缘线电阻的测试装置及测试方法

    公开(公告)号:CN114264878A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202111431891.2

    申请日:2021-11-29

    IPC分类号: G01R27/02

    摘要: 本发明涉及薄膜太阳能电池技术领域,具体涉及一种绝缘线电阻的测试装置及测试方法。所述绝缘线电阻的测试装置及测试方法包括:机架;支撑台,适于支撑前电极层;探测架,安装在所述机架上且位于所述支撑台的上方;多个模块接口,嵌装在所述探测架内且沿所述支撑台的长度方向均布,每个所述模块接口皆设有引线接口,所述引线接口适于通过引线与外界电源连接;多个探头,相邻或间隔插接于所述模块接口内,且与对应引线接口连接。本发明提供的绝缘线电阻的测试装置及测试方法,能够适用于不同分割距离的前电极层的检测,适用范围更广。

    钙钛矿吸收层的检测设备和检测方法

    公开(公告)号:CN115060673A

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202210668845.2

    申请日:2022-06-14

    IPC分类号: G01N21/31 H01L51/42

    摘要: 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种钙钛矿吸收层的检测设备和检测方法。钙钛矿吸收层的检测设备包括检测系统和数据处理系统;检测系统包括密封舱以及设置于所述密封舱内的点光源发射装置、光谱分析仪、传送装置、位置传感器和龙门架;点光源发射装置包括白色光源、分光器和传导光纤;光谱分析仪与点光源发射装置相对设置,且位于传送装置的下方;光谱分析仪的上端连接设置接收光纤;数据处理系统连接光谱分析仪。通过各个装置的配合对钙钛矿光伏组件做在线监测,判断光吸收特性在整个面积中是否均匀,同时可以根据测试数据反应钙钛矿吸收层含有哪些杂质物质;通过数据处理系统可以直接输出各个检测点的禁带宽度。

    一种薄膜太阳能电池绝缘线电阻在线测试装置及方法

    公开(公告)号:CN114325099A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111434443.8

    申请日:2021-11-29

    IPC分类号: G01R27/02 G01R1/04

    摘要: 本发明涉及薄膜太阳能电池技术领域,具体涉及一种薄膜太阳能电池绝缘线电阻在线测试装置及方法。所述薄膜太阳能电池绝缘线电阻在线测试装置包括:机架;支撑台,适于支撑前电极层;探测架,安装在所述机架上且位于支撑台的上方;两个探头,皆安装在所述探测架上且其间距固定,两个探头皆朝向所述支撑台且分别适于抵接同根绝缘线两侧的区域;所述探测架可沿所述支撑台的长度方向移动和/或所述支撑台设有可沿其长度方向移动的支撑件,所述支撑件适于放置前电极层。本发明提供的薄膜太阳能电池绝缘线电阻在线测试装置及方法,能够适用于多种不同分割距离的前电极层检测,并能实现在线处理缺陷。