发明公开
- 专利标题： 光掩模制造方法和包括其的半导体器件制造方法
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申请号： CN202010709170.2申请日： 2020-07-22
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公开(公告)号： CN112305853A公开(公告)日： 2021-02-02
- 发明人: 韩学承 , 朴相昱 , 朴钟主 , 李来原
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 弋桂芬
- 优先权： 10-2019-0093838 2019.08.01 KR
- 主分类号： G03F1/36
- IPC分类号： G03F1/36 ; G03F1/52 ; G03F1/76 ; H01L21/027
摘要：
公开了光掩模制造方法和半导体器件制造方法。该光掩模制造方法包括：在具有图像区域和围绕图像区域的边缘区域的掩模衬底上形成反射层；在反射层上形成吸收图案；将第一激光束照射到边缘区域上的反射层和吸收图案以形成黑色边界；使用具有黑色边界的光掩模向测试衬底提供极紫外(EUV)光束以形成测试图案；获得测试图案的临界尺寸校正图；以及使用临界尺寸校正图将第二激光束照射到图像区域一部分上的反射层，以形成比黑色边界厚的被退火区域。
