公开(公告)号：CN118276412A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211727615.5

申请日：2022-12-30

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 王少伟 ,  刘清权 ,  李云鹏 ,  陆卫

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/52

摘要： 本公开提供了一种光刻板、芯片模组及光刻机，涉及芯片制造技术领域。其中，光刻板包括：第一反射层、掩膜层和第二反射层；掩膜层设在第一反射层和第二反射层之间，对入射光场进行空间调制；第一反射层和第二反射层共同组成谐振腔，谐振腔对入射光场具有光束整形作用。本公开利用谐振腔的光束整形作用，压缩透射光场，抑制光学衍射效应，从而获得更高分辨率的曝光图形，提升曝光精度。

公开(公告)号：CN117008412A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310908815.9

申请日：2023-07-24

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 王辉

IPC分类号： G03F1/46 ,  G03F1/76 ,  G03F1/52 ,  G03F1/38

摘要： 本发明公开了一种光刻胶底切形貌的制作方法，包含：步骤一，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面沉积一层反射层；步骤二，通过光刻、涂胶、曝光、显影定义所述反射层，去除最终光刻胶底切区域以外的所述反射层；步骤三，在整个半导体衬底表面涂布光刻胶；步骤四，利用特殊设计的灰度光罩曝光，灰度光罩要求从Dark主图形向外透光率渐变增强；通过反射层使得光刻胶底切区域形成光强自下而上分布，完成底切图形的光刻胶图形化。本发明通过给不同反射率的半导体衬底使用不同反射率的反射层，结合灰度光罩，反射层所在区域的光罩透光率高，曝光光束通过透光率较高的光罩区域，经反射层反射给光刻胶，能形成形貌更为理想的底切形状，提高lift‑off工艺水平。

公开(公告)号：CN116300296A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202111563239.6

申请日：2021-12-20

申请人： 陈啓仲

发明人： 陈啓仲

IPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/52 ,  G03F1/68

摘要： 本发明公开一种微影方法，其包含有使用一透明光罩保持容器收纳一包含一电路图案的光罩，将上述透明光罩保持容器移入一微影设备中，令上述微影设备产生一特定波长的辐射光束穿入上述透明光罩保持容器投射于上述光罩的电路图案上，以及使通过上述光罩的辐射光束穿出上述透明光罩保持容器将电路图案投影转印至一晶圆的表面，而完成光罩的电路图案转印至晶圆表面的微影制程，以此，让光罩能在被保护于透明光罩保持容器内部时进行微影制程，而提高对光罩的保护，以降低微影制程中因提取光罩所造成的意外污染。

公开(公告)号：CN108693696B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201810325025.7

申请日：2018-04-12

申请人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司

发明人： 许杰安·希恩 ,  尚尼尔·K·辛 ,  索汉·S·米塔

IPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/46 ,  G03F1/52

摘要： 本发明涉及极紫外光微影(EUVL)反射型掩膜，其提供一种有埋藏吸收剂图案的反射型掩膜。该反射型掩膜可包括一低热膨胀材料(LTEM)衬底。可包括一对反射型堆叠，各反射型堆叠各自具有从该LTEM衬底延伸到一第一限度的一第一顶面。一填充堆叠在该对反射型堆叠之间，该填充堆叠具有从该LTEM衬底延伸到一第二限度的一第二顶面，该第二限度低于该对反射型堆叠的该第一限度。该对反射型堆叠中的每一者的一延伸部高于该填充堆叠藉此在该对反射型堆叠之间形成一凹井，该凹井具有被该填充堆叠的该第二顶面分离的实质垂直壁。衬里该凹井的一吸收剂层。

公开(公告)号：CN110824851B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201810915785.3

申请日：2018-08-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李宗彦 ,  傅中其 ,  陈立锐 ,  郑博中 ,  郭爵旗 ,  郑介任

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/52

摘要： 一种光刻设备的洁净度的检测方法，包括：放置一反射式光掩模至一曝光腔内的一光掩模座上，且放置一晶片至曝光腔内的一晶片座上；通过反射式光掩模实施一曝光工艺至晶片上；将反射式光掩模由曝光腔移动至一光学检测机台；以及通过光学检测机台检测反射式光掩模上的污染物。

公开(公告)号：CN112305853A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010709170.2

申请日：2020-07-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 韩学承 ,  朴相昱 ,  朴钟主 ,  李来原

IPC分类号： G03F1/36 ,  G03F1/52 ,  G03F1/76 ,  H01L21/027

摘要： 公开了光掩模制造方法和半导体器件制造方法。该光掩模制造方法包括：在具有图像区域和围绕图像区域的边缘区域的掩模衬底上形成反射层；在反射层上形成吸收图案；将第一激光束照射到边缘区域上的反射层和吸收图案以形成黑色边界；使用具有黑色边界的光掩模向测试衬底提供极紫外(EUV)光束以形成测试图案；获得测试图案的临界尺寸校正图；以及使用临界尺寸校正图将第二激光束照射到图像区域一部分上的反射层，以形成比黑色边界厚的被退火区域。

公开(公告)号：CN108594595B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201810202020.5

申请日：2018-03-12

申请人： 中山大学

发明人： 吴进 ,  刘川 ,  李敏敏

IPC分类号： G03F1/52 ,  G03F1/68

摘要： 本发明涉及纳米图形化领域，具体涉及一种具有微纳图形结构的掩膜板制作方法和纳米光刻工艺，在硅片衬底上，利用图形化工艺定义需要进行刻蚀的图形；对硅片表面进行各向异性刻蚀，通过控制刻蚀过程，在硅片上制备特定形状和特定尺寸的微纳图形排列结构；将聚合物溶液涂在具有特定形状的微纳图形排列结构的硅片表面上，将硅片表面的微纳图形结构转印在聚合物上；取出转印后的聚合物，具有微纳图形结构的聚合物作为光刻掩膜板，用于光刻制备微纳图形。本发明同时具备成本低、简单、高效、可灵活调控图形的特征尺寸和几何形状的优点，该工艺可通过调整聚合物掩膜版的图形尺寸，实现全反射式的光刻曝光技术。

公开(公告)号：CN101261410B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200810003469.5

申请日：2008-01-17

申请人： NLT科技股份有限公司

发明人： 中谦一郎 ,  坂本道昭 ,  永井博 ,  森健一

IPC分类号： G02F1/1335 ,  G03F1/52 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/0007 ,  G02F1/133371 ,  G02F1/133504 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/134363 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2201/122 ,  G02F2203/69 ,  G03F1/00 ,  G03F1/50

摘要： 一种LCD设备在每一像素中包括反射区。在反射区中提供具有凸凹表面的反射膜，以及形成截面结构中的薄膜。每一像素包括像素电极和公用电极，用于在LC层上施加横向电场。反射膜的倾角具有倾角分布，其中，与电极相对应的区域中的角度分量具有比与电极的相邻两个间的间隙相对应的区域中的角度分量较低的角度分布。

公开(公告)号：CN102770806A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201080064274.7

申请日：2010-12-17

申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司

发明人： V.卡梅诺夫 ,  S.米古拉

IPC分类号： G03F1/52 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70316 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G03F7/70216

摘要： 为针对EUV光刻设备的掩模的高反射率而改进EUV光刻设备的掩模，提出了用于EUV光刻的反射掩模，所述反射多层系被构造用于EUV范围内的工作波长且具有在所述工作波长处具有不同折射率实部的至少两种材料的层的层堆，其中所述多层系（V）被构造为使得当所述多层系被固定波长的EUV辐射照射且最小和最大入射角之间的角度区间高至21°时，切趾小于30％。

公开(公告)号：CN110235060B

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN201780083540.2

申请日：2017-12-21

申请人： 应用材料公司

发明人： 托马斯·L·莱蒂格 ,  黄·J·郑

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/52 ,  H01L21/027

摘要： 本公开内容的实施方式整体涉及用于处理一个或多个基板的方法和设备，并且更具体地涉及用于数字光刻系统的改善的空间光调制器和使用改善的空间光调制器的数字光刻方法。所述空间光调制器经构造以使得在相邻空间光调制器像素之间存在180度的相移。所述空间光调制器对于通过形成多个部分重叠的图像的像素混合是有用的，所述多个部分重叠的图像中的至少一个具有由其间具有180度相移的第一对相邻空间光调制器像素形成的至少两个像素。所述空间光调制器产生改善的分辨率、焦深和像素混合。