发明公开
- 专利标题： 形成图案的方法和制造半导体器件的方法
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申请号： CN202010586599.7申请日： 2020-06-24
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公开(公告)号： CN112305855A公开(公告)日： 2021-02-02
- 发明人: 李炳勋 , 郑镛席 , 方珠美 , 安秉燮
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 翟然
- 优先权： 10-2019-0089754 2019.07.24 KR
- 主分类号： G03F1/56
- IPC分类号： G03F1/56 ; G03F1/76 ; H01L21/027
摘要：
公开了形成图案的方法和制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法可以包括：提供衬底，衬底在其上包括抗蚀剂层；以及在抗蚀剂层上涂覆化合物以形成电荷消散层。电荷消散层可以包括导电聚合物和金属络合物。