公开(公告)号：CN103579043B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201310124248.4

申请日：2013-04-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李周浩 ,  郑镛席 ,  金容诚 ,  李昌承 ,  文彰烈

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/66045 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/05 ,  C01B32/186 ,  C25B1/00 ,  C25B9/00 ,  C25D17/00 ,  C25F5/00 ,  C25F7/00

摘要： 本发明提供一种石墨烯器件制造装置和使用该装置的石墨烯器件制造方法。该石墨烯器件制造装置包括：电极；石墨烯结构，包括基板、形成在基板上的金属催化剂层、形成在金属催化剂层上的石墨烯层、以及形成在石墨烯层上的保护层；电源单元，在电极和金属催化剂层之间施加电压；槽，容纳电极和石墨烯结构；以及在槽中准备的电解液。

公开(公告)号：CN103579310A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310073946.6

申请日：2013-03-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李昌承 ,  金容诚 ,  李周浩 ,  郑镛席

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供了晶体管和该晶体管的制造方法。晶体管可以包括石墨烯和由石墨烯转变的材料。该晶体管可以包括沟道层和栅绝缘层，该沟道层包括石墨烯，该栅绝缘层包括由石墨烯转变的材料。由石墨烯转变的材料可以是氟化石墨烯。沟道层可以包括图案化的石墨烯区域。图案化的石墨烯区域可以通过由石墨烯转变的区域来限定。图案化的石墨烯区域可具有纳米带或纳米网结构。晶体管的栅极可以包括石墨烯。

公开(公告)号：CN106154766B

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201610290516.3

申请日：2016-05-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 全桓彻 ,  金文子 ,  权星元 ,  金炳局 ,  R.查利克 ,  郑镛席 ,  崔在爀

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 一种用于包括极紫外线(EUV)光刻的光刻工艺的保护膜可以减轻在保护膜的隔膜中的热积累。保护膜包括隔膜和在隔膜的至少一个表面上的至少一个热缓冲层。热缓冲层的发射率可以大于隔膜的发射率。热缓冲层的碳含量可以大于隔膜的碳含量。多个热缓冲层可以在隔膜的分开的表面上，热缓冲层可具有不同的性能。盖层可以在至少一个热缓冲层上，盖层可以包括抗氢材料。热缓冲层可以在隔膜的表面的某些部分或全部之上延伸。热缓冲层可以在至少两个隔膜之间。

公开(公告)号：CN107845573A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710811888.0

申请日：2017-09-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑镛席 ,  权星元 ,  金熙范 ,  李东根

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01J37/3026 ,  G01Q30/06 ,  G03F1/36 ,  G03F1/72 ,  G06F17/50 ,  G06F17/5081 ,  H01J2237/31771 ,  H01J2237/31776 ,  H01L21/311 ,  H01L21/32139 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

摘要： 公开了一种调整用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸的方法，所述方法可以包括：确定标线的图像中的多个标线图案的第一特征尺寸的对应值，并且向包括在多个标线图案中的第一标线图案提供大气等离子体，第一标线图案具有与特征尺寸的目标值不同的特征尺寸的第一值。可以不向包括在多个标线图案中的第二标线图案提供大气等离子体，第二标线图案具有约等于目标值的特征尺寸的第二值。

公开(公告)号：CN109656093A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811060653.3

申请日：2018-09-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑镛席 ,  朴成训 ,  金钟洙 ,  裵硕钟

IPC分类号： G03F1/36

摘要： 一种设计光掩模的布局的方法和制造光掩模的方法，该设计光掩模的布局的方法包括：获得掩模图案的设计布局；对设计布局执行光学邻近校正以获得设计数据；获得在根据设计数据曝光光掩模期间出现的图案的位置误差数据；基于位置误差数据来校正图案的位置数据以校正设计数据；以及将经校正的位置数据提供给曝光设备以根据经校正的设计数据用曝光光束来曝光衬底。

公开(公告)号：CN106154766A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610290516.3

申请日：2016-05-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 全桓彻 ,  金文子 ,  权星元 ,  金炳局 ,  R.查利克 ,  郑镛席 ,  崔在爀

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 一种用于包括极紫外线(EUV)光刻的光刻工艺的保护膜可以减轻在保护膜的隔膜中的热积累。保护膜包括隔膜和在隔膜的至少一个表面上的至少一个热缓冲层。热缓冲层的发射率可以大于隔膜的发射率。热缓冲层的碳含量可以大于隔膜的碳含量。多个热缓冲层可以在隔膜的分开的表面上，热缓冲层可具有不同的性能。盖层可以在至少一个热缓冲层上，盖层可以包括抗氢材料。热缓冲层可以在隔膜的表面的某些部分或全部之上延伸。热缓冲层可以在至少两个隔膜之间。

公开(公告)号：CN106406021B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201610623699.6

申请日：2016-08-02

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑镛席 ,  全桓徹 ,  金炳局 ,  崔在爀 ,  权星元

IPC分类号： G03F1/48 ,  G03F1/62 ,  B82Y40/00

摘要： 本公开提供了保护膜以及包括该保护膜的光掩模组件。一种保护膜包括保护膜隔膜，该保护膜隔膜包括多孔膜。该多孔膜包括多个纳米线，该多个纳米线彼此交叉地布置以形成网状结构。光掩模组件包括保护膜和光掩模，其中保护膜被固定到光掩模的表面。

公开(公告)号：CN112305855A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010586599.7

申请日：2020-06-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李炳勋 ,  郑镛席 ,  方珠美 ,  安秉燮

IPC分类号： G03F1/56 ,  G03F1/76 ,  H01L21/027

摘要： 公开了形成图案的方法和制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法可以包括：提供衬底，衬底在其上包括抗蚀剂层；以及在抗蚀剂层上涂覆化合物以形成电荷消散层。电荷消散层可以包括导电聚合物和金属络合物。

公开(公告)号：CN103579310B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201310073946.6

申请日：2013-03-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李昌承 ,  金容诚 ,  李周浩 ,  郑镛席

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供了晶体管和该晶体管的制造方法。晶体管可以包括石墨烯和由石墨烯转变的材料。该晶体管可以包括沟道层和栅绝缘层，该沟道层包括石墨烯，该栅绝缘层包括由石墨烯转变的材料。由石墨烯转变的材料可以是氟化石墨烯。沟道层可以包括图案化的石墨烯区域。图案化的石墨烯区域可以通过由石墨烯转变的区域来限定。图案化的石墨烯区域可具有纳米带或纳米网结构。晶体管的栅极可以包括石墨烯。

公开(公告)号：CN103579043A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310124248.4

申请日：2013-04-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李周浩 ,  郑镛席 ,  金容诚 ,  李昌承 ,  文彰烈

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/66045 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/05 ,  C01B32/186 ,  C25B1/00 ,  C25B9/00 ,  C25D17/00 ,  C25F5/00 ,  C25F7/00

摘要： 本发明提供一种石墨烯器件制造装置和使用该装置的石墨烯器件制造方法。该石墨烯器件制造装置包括：电极；石墨烯结构，包括基板、形成在基板上的金属催化剂层、形成在金属催化剂层上的石墨烯层、以及形成在石墨烯层上的保护层；电源单元，在电极和金属催化剂层之间施加电压；槽，容纳电极和石墨烯结构；以及在槽中准备的电解液。