本发明涉及芯片加工技术领域，具体公开了一种芯片制备用的层叠式硅晶棒制造设备,包括铸造炉筒座、压铸机构、封盖与震动加热套，所述铸造炉筒座的中间设有中间筒，且在中间筒的上端固定连通有锥面结构的导液斗，所述导液斗的上端固定连通有腔体结构的缓冲室，所述缓冲室的顶部设有电缸安装座，所述压铸机构固定安装在电缸安装座的上端；本发明中，通过压铸机构对中间筒内硅熔液进行压铸，增强了硅晶棒内的整体强度，可以满足高强度设备中对半导体材料的强度需求；本发明中，采用震动加热套与压铸机构配合制备，生产出的硅晶棒内各层次之间的结合度较致密，改善横截面的抗剪切能力，同时还提高了整个硅晶棒的制备效率。