-
公开(公告)号：CN111496213B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202010259110.5
申请日：2020-04-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种具有分区加热功能的离心超重力定向熔铸系统及方法。包括挂杯、加热装置、坩埚装置和保温装置；挂杯中安装保温装置，保温装置中装有加热装置，加热装置中装有坩埚装置，挂杯顶部两侧设有吊耳，挂杯通过两侧的吊耳铰接地悬挂在超重力离心机的旋转臂端部上；根据合金类型，确定上下发热体、坩埚材料类型，安装搭建系统，连接地面供电系统，离心机动平衡测试，定向凝固。本发明具备利用功率降低法实现超重力定向凝固功能，解决了超重力定向凝固过程中温度梯度难控制的关键难题，冷却速率和温度梯度可调可控，结构紧密，安全性高。
-
公开(公告)号：CN118241167A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410216354.3
申请日：2019-10-28
Applicant: 马克斯·普朗克科学促进学会
Abstract: 本发明涉及一种用由层材料(58)制成的至少一个材料层(56)涂覆由基板材料(54)制成的基板(52)的涂覆设备(1)。本发明还涉及一种用于涂覆设备(1)的处理腔室(10)，所述涂覆设备(1)用由层材料(58)制成的至少一个材料层(56)涂覆由基板材料(54)制成的基板(52)。本发明还涉及一种在涂覆设备(1)中用由层材料(58)制成的至少一个材料层(56)涂覆由基板材料(54)制成的基板(52)的方法。本发明的另一方面涉及一种用至少一个材料层(56)涂覆的基板(52)，包括用由层材料(58)制成的至少一个材料层(56)涂覆的由基板材料(54)制成的所述基板(52)。
-
公开(公告)号：CN117488408A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210922436.0
申请日：2022-08-02
Applicant: 松山湖材料实验室
Abstract: 本申请涉及半导体材料技术领域，具体而言，涉及一种单晶氮化铝材料及其制备方法。单晶氮化铝材料的制备方法包括：对前驱体进行氮等离子体辐照处理；前驱体包括交替堆叠的氮化铝层和单质铝层；氮等离子体辐照处理的温度不低于1300℃。在氮等离子体辐照处理下，交替堆叠的氮化铝层和单质铝层可以在1300℃下就重结晶形成单晶氮化铝材料，且单晶质量较高，位错密度小于109/cm2数量级。无需在高于1700℃的高温环境下进行面对面退火，即可制备出高质量的单晶氮化铝材料，制备工艺简单易行，适于大规模产业化生产，且有利于避免面对面退火工艺带来的表面划痕等机械磨损，产品良率较高，极大程度地扩展了单晶氮化铝材料的应用范围。
-
公开(公告)号：CN117488393A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311241796.5
申请日：2023-09-25
Applicant: 中国石油大学(北京)
Abstract: 本发明提供一种单晶印刷的方法及其应用，该单晶的印刷方法包括以下步骤：(1)使用荧光基团修饰高分子材料，得到荧光基团‑高分子材料；(2)采用溶剂挥发法处理所述荧光基团‑高分子材料，得到具有荧光基团的多层片晶结构；(3)利用红外光对所述多层片晶结构进行图案化处理，得到具有目标结构的单晶。该方法能够实时观测晶体的形貌，并且能够精确调控微观结构。本发明提供的单晶的印刷方式能够实时观测单晶的形貌，同时能够精确的调控单晶的微观结构，并且该方法步骤短、操作简单且实操性强。
-
公开(公告)号：CN110846712B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201910853023.X
申请日：2019-09-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种超重力定向凝固熔铸炉装置。包括超重力试验舱和安装在超重力试验舱中的高温加热子系统和坩埚及气冷系统，超重力试验舱安装接线电极和冷却气体阀装置，高温加热子系统固定于超重力试验舱，坩埚及气冷系统置于高温加热子系统；高温加热子系统包括上中下炉体、莫来石保温层、上下加热腔外体、上下加热炉管、坩埚支撑座，高温加热腔体分为上下部分，内部有螺旋状凹槽并装有发热体；坩埚支撑座内部有冷却气体通入的通气管道；坩埚及气冷系统包括进排气管、冷却底座、冷速调节环、坩埚和排气盖。本发明用于在超重力环境，解决了高速旋转状态下定向凝固温度梯度熔铸的关键难题，填补了国内技术行业的空白，且装备简单、操作方便。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112323139B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202011320184.1
申请日：2020-11-23
Applicant: 沈阳工程学院
Abstract: 本发明涉及旋转声场液桥毛细对流实验装置及方法，其包括支架装置、液桥生成装置、声场发生装置、声场运动装置及图像识别装置；支架装置包括上下设置的上液桥支架和下液桥支架；液桥生成装置包括上下设置的上液桥支撑盘和下液桥支撑盘；上液桥支撑盘设置在上液桥支架上，下液桥支撑盘设置在下液桥支架上；在上液桥支撑盘和下液桥支撑盘之间形成有液桥区；声场发生装置包括换能器和任意波形发生器；本发明设计合理、结构紧凑且使用方便。
-
公开(公告)号：CN115652431A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211186389.4
申请日：2022-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种非配比熔体制备碳化硅晶体的装置和方法，属于半导体材料制备领域，所述装置包括离心电机、旋转主轴、固定在旋转主轴上的支撑杆、连接支撑杆的离心轮、设置在离心轮边缘内侧石墨坩埚、设置在旋转主轴的籽晶杆、设置在离心轮上下两侧的磁场发生器。所述方法包括将多晶硅放置在坩埚中，旋转产生离心力，同时施加双向磁场，加热熔化材料，实现碳化硅单晶的生长。采用本发明提出的技术方案，加速了碳原子的传输，生长界面处碳原子源源不断的供应，可以有效避免夹杂物和多晶的形成，实现高效制备低缺陷、无夹杂的高品质碳化硅单晶。
-
公开(公告)号：CN115198369A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210829113.7
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种磷化铟合成与VGF晶体制备的装置及方法，涉及化合物半导体的制备，首先将铟元素置于坩埚中，将磷元素置于辅助坩埚区域中心，然后加热并施加离心力，在离心力作用下，铟熔体围绕主坩埚区域形成筒状，铟元素与磷元素处于表面接触的分离状态。通过多温区加热，将铟与磷加热至不同的温度，易挥发元素磷升华后与金属元素铟化合。合成完毕后降低坩埚转速，合成熔体处于水平状态，置入氧化硼实现晶体生长。使用本发明提出的装置和方法，磷元素的注入装置没有加热器，简化了合成设备；合成期间，铟溶体与磷气体的接触面积大，合成速度快；化合物生成前所有材料装料完成，外界沾污减少；实现晶体在原位生长，提高效率。
-
公开(公告)号：CN114945712A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202180003335.7
申请日：2021-02-12
Applicant: 株式会社水晶系统
Inventor： 进藤勇
Abstract: 提供薄板状单晶制造装置及薄板状单晶制造方法，即使是除了分解熔融物质或固熔体物质的单晶以外的调和熔融物质，也能够以低成本连续且高精度地制造添加剂浓度为最佳组成且均质的厚度数百μm左右的薄板状单晶。包括红外线照射单元，其对薄板状单晶制造用原料块的上侧面照射红外线，使所述上侧面的表面熔解；以及升降单元，其将薄板状种晶单晶的下侧面浸于用所述红外线照射单元熔解且在所述上侧面的表面获得的熔融液中，并且将所述薄板状种晶单晶从浸入的状态向上方提起，构成为：通过经由所述升降单元使薄板状种晶单晶的所述下侧面浸于利用所述红外线照射手段在薄板状单晶制造用原料块的上侧面的表面获得的熔融液中，以从浸入的薄板状种晶单晶的所述下侧面开始单晶的培育，还通过经由所述升降单元将薄板状种晶单晶向上方提起，以连续地制造薄板状单晶。
-
公开(公告)号：CN114808118A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210466528.2
申请日：2022-04-29
Applicant: 杭州富加镓业科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种在导电型氧化镓衬底上制备同质外延氧化镓薄膜的方法及分子束外延设备，所述分子束外延设备包括MEB生长室、设置在所述MEB生长室内的不锈钢托盘，以及设置在所述不锈钢托盘底端的导电型氧化镓衬底，其特征在于，所述导电型氧化镓衬底的下方对应设置有激光器，所述激光器发出的激光波长为1800‑2200nm，且所述激光器发出的激光光斑覆盖对应导电型氧化镓衬底的整个底部。本发明通过所述激光器以激光加热的方法直接加热MEB生长室内的导电型氧化镓衬底，使导电型氧化镓衬底均匀受热，制备出高质量、厚度均匀的非故意掺杂氧化镓同质外延片。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
204
records
(took 0.01 seconds)
