本发明提供一种硅控整流器和静电放电保护器件，涉及半导体技术领域，可以在SCR导通时，电流路径为第三掺杂区至第二阱区，由于第一阱区至第二阱区的崩溃电压大于第三掺杂区至第二阱区的崩溃电压，故，可以有效的降低SCR的导通电压Vt1。同时，由于只将第一掺杂区作为电流输入端的电压VDD，且隔离层在鳍体的竖向的两侧形成隔离，第二掺杂区则在第一掺杂区的右侧完全挡住第一掺杂区，在整个电流路径中，由第一掺杂区和第二掺杂区形成一个逆偏的二极体，故，在整个SCR导通后，其维持电压多了一个逆偏二极体的崩溃电压，因此也就提高了整个SCR的维持电压，可以有效改善闩锁问题。