- 专利标题: 一种高电源抑制比和高抗干扰能力的基准电路
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申请号: CN202011126043.6申请日: 2020-10-20
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公开(公告)号: CN112416047A公开(公告)日: 2021-02-26
- 发明人: 康磊 , 宋奎鑫 , 李阳 , 莫艳图 , 张景超 , 王秀芝 , 柏晓鹤 , 张志伟 , 阳启明 , 孔瀛 , 马佩 , 王胜霞 , 曹亦栋
- 申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
- 申请人地址: 北京市丰台区东高地四营门北路2号
- 专利权人: 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- 当前专利权人: 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区东高地四营门北路2号
- 代理机构: 中国航天科技专利中心
- 代理商 高志瑞
- 主分类号: G05F1/575
- IPC分类号: G05F1/575
摘要:
本发明公开了一种高电源抑制比和高抗干扰能力的基准电路,包括:偏置电路、预处理电路、基准核心电路、运算放大器和输出级;其中,偏置电路产生偏置电压,用于预处理电路和运算放大器;预处理电路产生初级的不受输入电压影响的稳定电压,将稳定电压输出给基准核心电路和运算放大器;基准核心电路产生零温电压,将零温电压输出给输出级和运算放大器;运算放大器电路使得三极管集电极电压相等,使得基准核心电路正常工作;输出级通过电阻分压,产生不同的基准电压。本发明通过采用偏置电路,进行合理的结构设计,同时引入预处理电路,产生受电源电压影响较小的初级电压,提高低频和高频下的电源抑制比。在敏感节点加入滤波电路,提高抗干扰能力。
公开/授权文献
- CN112416047B 一种高电源抑制比和高抗干扰能力的基准电路 公开/授权日:2022-05-24
IPC分类: