发明公开
- 专利标题: 立体集成阵列式整流二极管模组封装结构及方法
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申请号: CN202011192070.3申请日: 2020-10-30
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公开(公告)号: CN112420619A公开(公告)日: 2021-02-26
- 发明人: 戴晨毅 , 木瑞强 , 林鹏荣 , 王勇 , 李金月 , 蔺建龙 , 张姗姗
- 申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
- 申请人地址: 北京市丰台区东高地四营门北路2号
- 专利权人: 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- 当前专利权人: 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区东高地四营门北路2号
- 代理机构: 中国航天科技专利中心
- 代理商 胡健男
- 主分类号: H01L21/98
- IPC分类号: H01L21/98 ; H01L21/60 ; H01L23/31 ; H01L25/07
摘要:
本发明为立体集成阵列式整流二极管模组封装结构及方法,其主要选用高可靠陶瓷外壳及金属盖板为封装材料,首先在外壳基座内部通过芯片定位装置进行焊片及芯片高精度安装,通过焊接实现芯片与外壳基座焊接,再通过硅铝丝实现芯片与外壳互连连接,最后通过平行缝焊实现金属盖板与外壳密封封装。本发明方法的应用,实现了立体阵列式整流二极管封装,大大提高整流二极管应用范围,纳米银膏和平行缝焊多温度梯度焊接方式可以起到优良的散热以及高可靠气密性封装,拓宽了器件应用场景。
IPC分类: