- 专利标题: 一种基于碳基材料的Y型栅结构及其制备方法
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申请号: CN202011179036.2申请日: 2020-10-29
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公开(公告)号: CN112420821B公开(公告)日: 2021-11-19
- 发明人: 周简硕 , 丁力 , 彭练矛
- 申请人: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
- 申请人地址: 北京市海淀区杏石口路80号益园B1栋; ;
- 专利权人: 北京元芯碳基集成电路研究院,北京大学,北京华碳元芯电子科技有限责任公司
- 当前专利权人: 北京元芯碳基集成电路研究院,北京大学,北京华碳元芯电子科技有限责任公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区杏石口路80号益园B1栋; ;
- 代理机构: 北京秉文同创知识产权代理事务所
- 代理商 赵星; 张文武
- 主分类号: H01L29/423
- IPC分类号: H01L29/423 ; H01L21/28
摘要:
本发明公开了一种基于碳基材料的Y型栅结构,包括一碳基材料沟道层的衬底,在其上具有由栅金属栅根和栅金属栅帽组成的一体化栅金属结构,所述栅金属结构与所述碳基材料沟道层之间具有一第一高K栅介质层,所述栅金属栅帽下部具有第一宽度,其上部具有大于或等于所述第一宽度的第二宽度,所述栅金属栅帽上部和下部之间形成有两个侧面,在所述侧面上分别包覆有第二高K栅介质层。同时还提出该Y型栅结构的制备方法,只须一次曝光即可形成自对准Y型栅结构,工艺简单,操作方便。本发明提出的基于碳基材料的Y型栅结构在降低栅电阻的同时,进一步降低寄生效应,可以提升碳基高速、高频器件性能。
公开/授权文献
- CN112420821A 一种基于碳基材料的Y型栅结构及其制备方法 公开/授权日:2021-02-26
IPC分类: