正性光刻胶组合物的热处理方法
摘要:
描述了对于重氮萘醌磺酸酯-酚醛清漆正性光刻胶的快速后曝光烘烤(快速PEB)方法,该方法提供了显著的优点。该方法优选在底抗反射涂层上使用比抗蚀剂普通后曝光烘烤(PEB)较高的温度(≥130℃)和很短的烘烤时间(≤30秒)。它明显地提高了光刻胶的分辨能力、工艺宽容度、热变形温度、抗蚀剂附着力和抗等离子蚀刻性。
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