发明公开
- 专利标题： 集成芯片与金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法
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申请号： CN202010070339.4申请日： 2020-01-21
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公开(公告)号： CN112490220A公开(公告)日： 2021-03-12
- 发明人: 林杏莲 , 吴启明 , 金海光 , 江法伸
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- 代理机构： 北京派特恩知识产权代理有限公司
- 代理商 薛恒; 王琳
- 优先权： 16/567,247 20190911 US
- 主分类号： H01L23/64
- IPC分类号： H01L23/64 ; H01L49/02 ; H01L21/82
摘要：
本发明的各种实施例涉及一种包含扩散阻挡层的金属绝缘体金属(MIM)电容器。底部电极上覆于衬底。电容器介电层上覆于底部电极。顶部电极上覆于电容器介电层。顶部电极包含第一顶部电极层、第二顶部电极层以及安置在第一顶部电极层与第二顶部电极层之间的扩散阻挡层。
IPC分类:
