本发明提供了一种填充式芯片互连结构和芯片互连结构的制备方法，填充式芯片互连结构包括：基板；金属焊膏连接层，金属焊膏连接层设置在基板上；芯片，芯片设置在金属焊膏连接层上；其中，金属焊膏连接层包括第一金属焊膏层和第二金属焊膏层，第二金属焊膏层位于第一金属焊膏层的中心位置。本发明的技术方案中，第二金属焊膏层用于将芯片的中心区域与基板的中心区域连接在一起。第二金属焊膏层由第二金属焊膏热压烧结而制成，这样在填充式芯片互连结构的热压烧结的制备过程中，金属焊膏涂抹层的中心区域产生的有机物产物和堆积的热量能够及时通过第一金属焊膏层的路径和孔隙中散出。从而提高了金属焊膏连接层的连接质量和连接的可靠性。