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公开(公告)号：CN112735978B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202011490768.3
申请日：2020-12-16
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 重庆大学
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种压接装置和有压烧结设备，压接装置包括：底座，底座内设置有容纳腔；压块，设置在容纳腔内，压块能够在容纳腔内沿容纳腔的深度方向滑动；其中，芯片组件位于压块和容纳腔的底壁之间，压块能够将芯片组件压紧在底壁上。本发明的技术方案中，压接装置的结构简单，这样使得压接装置结构可以设计的更加地紧凑，相对于相关技术中的压接装置，体积更小，重量更轻，避免了相关技术中的压接装置造价成本高，场地要求高的问题，从而提高了压接装置使用的便利性，节约了压接装置的制造和维护成本。
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公开(公告)号：CN112735978A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011490768.3
申请日：2020-12-16
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 重庆大学
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种压接装置和有压烧结设备，压接装置包括：底座，底座内设置有容纳腔；压块，设置在容纳腔内，压块能够在容纳腔内沿容纳腔的深度方向滑动；其中，芯片组件位于压块和容纳腔的底壁之间，压块能够将芯片组件压紧在底壁上。本发明的技术方案中，压接装置的结构简单，这样使得压接装置结构可以设计的更加地紧凑，相对于相关技术中的压接装置，体积更小，重量更轻，避免了相关技术中的压接装置造价成本高，场地要求高的问题，从而提高了压接装置使用的便利性，节约了压接装置的制造和维护成本。
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公开(公告)号：CN112563231A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011387426.9
申请日：2020-12-01
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 重庆大学
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60 , H01L23/373 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明提供了一种填充式芯片互连结构和芯片互连结构的制备方法，填充式芯片互连结构包括：基板；金属焊膏连接层，金属焊膏连接层设置在基板上；芯片，芯片设置在金属焊膏连接层上；其中，金属焊膏连接层包括第一金属焊膏层和第二金属焊膏层，第二金属焊膏层位于第一金属焊膏层的中心位置。本发明的技术方案中，第二金属焊膏层用于将芯片的中心区域与基板的中心区域连接在一起。第二金属焊膏层由第二金属焊膏热压烧结而制成，这样在填充式芯片互连结构的热压烧结的制备过程中，金属焊膏涂抹层的中心区域产生的有机物产物和堆积的热量能够及时通过第一金属焊膏层的路径和孔隙中散出。从而提高了金属焊膏连接层的连接质量和连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN113063990B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110310440.7
申请日：2021-03-23
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司烟台供电公司
摘要： 本发明公开了一种杂散电容及功率半导体器件电流的计算方法，包括：基于获取的功率半导体器件在瞬态开通过程中的电流及瞬态关断过程中的电压，得到功率半导体器件的电流在瞬态开通过程中的电流变化曲线和功率半导体器件的电压在瞬态关断过程中的电压变化曲线；利用电流变化曲线、电压变化曲线和杂散电容瞬时表达式，确定测试电路中的杂散电容与电压的关系；获取功率半导体器件在瞬态关断过程中当前时刻对应的电压值，基于电压值和杂散电容与电压的关系，确定测试电路在当前时刻的当前杂散电容值。本发明利用瞬态关断过程中的电压变化曲线计算杂散电容与电压的关系，更准确评估测试电路中的杂散电容。
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公开(公告)号：CN111709162B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202010349978.4
申请日：2020-04-28
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G06F30/23 , G16C60/00 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块中热阻分布计算方法、装置、存储介质及电子设备，该方法包括：建立功率半导体模块的仿真模型；获取功率半导体模块的仿真模型对应的第一总热阻仿真值；对仿真模型中的每一层材料层分别执行以下步骤：在仿真模型中对功率半导体模块的对第i层材料层引入传热系数的调整系数ki，获取对第i层材料层引入调整系数ki后功率半导体模块的第i热阻仿真值；根据公式计算得到第i层材料层在功率半导体模块的热阻占比，从而得到功率半导体模块中的热阻分布。本发明解决了现有技术中对功率半导体模块的热阻分布计算过程复杂的问题，通过建立有限元模型，利用单一变量法计算热阻分布，降低计算误差，提高了计算效率。
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公开(公告)号：CN113063990A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110310440.7
申请日：2021-03-23
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司烟台供电公司
摘要： 本发明公开了一种杂散电容及功率半导体器件电流的计算方法，包括：基于获取的功率半导体器件在瞬态开通过程中的电流及瞬态关断过程中的电压，得到功率半导体器件的电流在瞬态开通过程中的电流变化曲线和功率半导体器件的电压在瞬态关断过程中的电压变化曲线；利用电流变化曲线、电压变化曲线和杂散电容瞬时表达式，确定测试电路中的杂散电容与电压的关系；获取功率半导体器件在瞬态关断过程中当前时刻对应的电压值，基于电压值和杂散电容与电压的关系，确定测试电路在当前时刻的当前杂散电容值。本发明利用瞬态关断过程中的电压变化曲线计算杂散电容与电压的关系，更准确评估测试电路中的杂散电容。
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公开(公告)号：CN111709162A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010349978.4
申请日：2020-04-28
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G06F30/23 , G16C60/00 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块中热阻分布计算方法、装置、存储介质及电子设备，该方法包括：建立功率半导体模块的仿真模型；获取功率半导体模块的仿真模型对应的第一总热阻仿真值；对仿真模型中的每一层材料层分别执行以下步骤：在仿真模型中对功率半导体模块的对第i层材料层引入传热系数的调整系数ki，获取对第i层材料层引入调整系数ki后功率半导体模块的第i热阻仿真值；根据公式计算得到第i层材料层在功率半导体模块的热阻占比，从而得到功率半导体模块中的热阻分布。本发明解决了现有技术中对功率半导体模块的热阻分布计算过程复杂的问题，通过建立有限元模型，利用单一变量法计算热阻分布，降低计算误差，提高了计算效率。
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公开(公告)号：CN111524862A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010366300.7
申请日：2020-04-30
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L23/047 , H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/373
摘要： 本发明提供一种芯片封装电极及其制备方法和芯片封装结构。该芯片封装电极，包括：电极板以及在所述电极板上层叠设置的第一钼铜合金层、弹性层和第二钼铜合金层，其中，所述第一钼铜合金层和第二钼铜合金层中钼的质量百分比沿背离所述电极板的方向上均逐渐增大，所述弹性层由铜和弹性体形成的复合材料制成。第一钼铜合金层和第二钼铜合金层中，铜保证该电极具有优良的导电性能，由于钼的热膨胀系数与芯片更匹配，从而降低了热膨胀系数不匹配对电极或芯片所造成的损害；弹性层中，铜保证了电极的导电性能，弹性体的添加增加了电极的弹性，进一步降低了对芯片的机械损伤风险。上述封装电极结构紧凑，电极与芯片距离适宜，保证了芯片的良好散热。
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公开(公告)号：CN114220796A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111503735.2
申请日：2021-12-10
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L23/552 , H01L25/07 , H01L23/498
摘要： 本发明提供一种功率半导体芯片封装结构，包括：第一基板电极；位于部分所述第一基板电极上且与所述第一基板电极电连接的功率半导体芯片；环绕所述功率半导体芯片的线圈屏蔽结构，所述线圈屏蔽结构包括导电线圈以及包覆所述导电线圈的绝缘体。所述功率半导体芯片封装结构具有较高的耐压性。
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公开(公告)号：CN111540718B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202010384365.4
申请日：2020-05-07
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/473 , H01L23/498 , H01L21/60
摘要： 本发明公开了一种碳化硅器件的封装结构，包括：驱动基板；碳化硅芯片，其烧结连接于驱动基板的正面，碳化硅芯片的栅极烧结引出有栅极弹性金属探针，源极烧结引出有源极金属柱；DBC基板组件，具有与栅极弹性金属探针位置对应的第一覆铜层和与源极金属柱位置对应的第二覆铜层；弹性组件，位于DBC基板组件背向驱动基板的一侧，在封装过程中，其弹性力驱使DBC基板组件靠近驱动基板以使第一覆铜层与栅极弹性金属探针、及第二覆铜层与源极金属柱压接相连。这种碳化硅器件的弹性压接封装结构，通过烧结引出的栅极弹性金属探针和DBC基板组件的第一覆铜层实现低电感互联，降低了封装寄生电感，提高了碳化硅器件封装结构的可靠性。
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