- 专利标题: 一种基于二维范德华异质结构的单分子场效应晶体管及其制备方法
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申请号: CN202011410961.1申请日: 2020-12-06
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公开(公告)号: CN112582542A公开(公告)日: 2021-03-30
- 发明人: 郭雪峰 , 李佩慧 , 贾传成 , 常新月
- 申请人: 南开大学
- 申请人地址: 天津市南开区卫津路94号
- 专利权人: 南开大学
- 当前专利权人: 南开大学
- 当前专利权人地址: 天津市南开区卫津路94号
- 代理机构: 天津耀达律师事务所
- 代理商 张耀
- 主分类号: H01L51/05
- IPC分类号: H01L51/05 ; H01L51/30 ; H01L51/40
摘要:
一种基于二维范德华异质结构的单分子场效应晶体管及其制备方法,属于新材料以及分子场效应晶体管领域。由导电二维材料栅电极层、绝缘二维材料介质层、基于石墨烯点电极的单分子异质结以及保护层构成,制备方法包括1)二维叠层组装;2)作为器件各组成部分的二维材料具有原子级可控平整度和厚度;3)范德华异质结构的稳定性;4)与石墨烯基单分子异质结的结合。本发明通过不同二维材料的范德华堆叠组装,形成范德华异质结构。使得器件的介质层和栅极达到原子级平整并且原子层可控,实现单分子场效应晶体器件的精准控制制备,而使用六方氮化硼或氮化镓作为保护层对器件进行封装,大大减小了外界环境对器件的干扰,提高了器件的稳定性。
公开/授权文献
- CN112582542B 一种基于二维范德华异质结构的单分子场效应晶体管及其制备方法 公开/授权日:2022-09-30
IPC分类: