发明授权
- 专利标题: 一种可调谐单纵模激光器及其制备方法
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申请号: CN202011513855.6申请日: 2020-12-18
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公开(公告)号: CN112636166B公开(公告)日: 2022-03-15
- 发明人: 夏施君 , 祝宁华 , 许博蕊 , 袁海庆 , 王欣 , 白金花 , 孙文惠
- 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人: 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人: 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 王文思
- 主分类号: H01S5/06
- IPC分类号: H01S5/06 ; H01S5/062 ; H01S5/065 ; H01S5/22 ; H01S5/042
摘要:
本公开提供了一种可调谐单纵模半导体激光器,包括:多层半导体层,其用于产生不同频率间隔的多纵模激光;包层,其设置在多层半导体层之上,用于限制光场和载流子扩散;欧姆接触层,其设置在包层之上;其中,在包层及欧姆接触层上光刻及刻蚀形成有第一脊型波导及第二脊型波导,第一脊型波导中心位置及第二脊型波导中心位置十字正交弯曲连接,第一脊型波导及第二脊型波导用于将不同频率间隔的多纵模激光实现特定频率的单纵模激光发射;多层半导体层与第一脊型波导构成第一法布里珀罗腔半导体激光器,多层半导体层与第二脊型波导构成第二法布里珀罗腔半导体激光器。本公开还提供了一种可调谐单纵模激光器的制备方法。
公开/授权文献
- CN112636166A 一种可调谐单纵模激光器及其制备方法 公开/授权日:2021-04-09