发明公开
- 专利标题: 用于经时击穿测试的探针卡及经时击穿测试方法
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申请号: CN202011455731.7申请日: 2020-12-10
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公开(公告)号: CN112731073A公开(公告)日: 2021-04-30
- 发明人: 赵东艳 , 王于波 , 周芝梅 , 邵瑾 , 陈燕宁 , 付振 , 袁远东 , 杨红 , 陈睿 , 王文武 , 都安彦 , 李恋恋
- 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 中国科学院大学
- 申请人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼; ; ; ;
- 专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,北京芯可鉴科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,中国科学院微电子研究所,中国科学院大学
- 当前专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,北京芯可鉴科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,中国科学院微电子研究所,中国科学院大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼; ; ; ;
- 代理机构: 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 肖冰滨; 王晓晓
- 主分类号: G01R31/12
- IPC分类号: G01R31/12
摘要:
本发明涉及芯片测试领域,提供一种用于经时击穿测试的探针卡以及经时击穿测试方法。所述用于经时击穿测试的探针卡包括:印制电路板以及设置于所述印制电路板的探针,所述印制电路板设有用于输入经时击穿测试信号的输入端,还包括限流元件,所述探针的第一端通过所述限流元件连接所述印制电路板的输入端,所述探针的第二端用于输出所述经时击穿测试信号。本发明通过限流元件吸收器件栅氧化层被击穿时的瞬间大电流,防止器件内部的其它结构被损坏(击穿),这种情况下器件处于早期损坏,容易确定早期损坏故障点的位置,有助于确定可靠性失效的根本原因。