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公开(公告)号：CN119276767A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410990689.0
申请日：2024-07-23
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本申请公开一种节点路由方法、节点路由装置、计算机设备、通信系统和存储介质。方法包括基于当前节点对应的电力负荷数据，划分多个路由时段，电力负荷数据基于与当前节点连接的电力采集终端采集的电力数据确定；分别建立当前节点在各个路由时段的路由表，路由表包括当前节点的子节点；基于各个路由时段的路由表，对当前节点进行路由控制。基于电力负荷数据的变化规律，划分多个路由时段，并分别建立各个路由时段的路由表，使用当前时刻所在的路由时段的路由表，不仅可保证当前时刻的路由性能，提高通信质量和可靠性，且由于电力负荷的规律性变化，路由表无需频繁维护，还可大大降低路由表的维护开销。
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公开(公告)号：CN117498854B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311220391.3
申请日：2023-09-20
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H03K17/567 , H03K17/04 , H03K17/081
Abstract: 本发明涉及集成电路领域，提供一种IGBT驱动电路及芯片。所述IGBT驱动电路包括死区产生模块、电平位移模块、延时电路模块、第一驱动管以及第二驱动管。死区产生模块用于基于输入信号生成非交叠的第一控制信号和第二控制信号；电平位移模块用于对第一控制信号进行电平位移处理生成高压域控制信号；延时电路模块用于对第二控制信号进行延时处理生成与所述高压域控制信号的延时相匹配的低压域控制信号；第一驱动管与第二驱动管在高压域控制信号以及低压域控制信号的作用下生成轨到轨输出的驱动信号。本发明可实现不同电压域的匹配，提高响应速度，且可实现良好的延时匹配特性，避免第一驱动管与第二驱动管直通，节省功耗。
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公开(公告)号：CN117767240A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311542330.9
申请日：2023-11-17
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 , 中关村芯海择优科技有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种直流瞬态混合触发高压ESD保护电路及芯片，涉及ESD保护技术领域，电路包括：瞬态触发单元、直流触发单元及泄放单元；瞬态触发单元用于在ESD发生时在预设时间向泄放单元提供一电信号以控制泄放单元导通以泻放ESD电流；直流触发单元用于在ESD电压高于阈值电压时控制泄放单元导通以泻放ESD电流。本申请通过构建瞬态触发单元和直流触发单元两条ESD电流泄放路径，从而实现在ESD事件发生时，同时可以通过瞬态触发单元和直流触发单元两条路径打开对应的泄放单元进行ESD电流的泄放，从而能够保证无论ESD事件脉冲长短均可打开对应泄放单元进行泄放，具有电路面积小，响应速度快的优点。
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公开(公告)号：CN111710627B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202010469555.6
申请日：2020-05-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明提供一种芯片封装预处理方法及芯片分析方法，属于集成电路技术领域。所述预处理方法包括：探测不同裸晶在多芯片封装的表面投影区域；保护处于待移除裸晶的表面投影区域之外的多芯片封装；腐蚀所述多芯片封装；剥离所述待移除裸晶，获得裸露的目标裸晶。本发明用于FIB预处理。
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公开(公告)号：CN117612935A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202410097708.7
申请日：2024-01-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L21/266 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 本公开涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种超结半导体的源区自对准注入方法及超结半导体结构，所述方法包括：在栅极层和栅极氧化层与体区对应的位置形成沟槽；形成第一牺牲层，所述第一牺牲层覆盖所述栅极层上表面、所述沟槽侧壁和所述沟槽底部；去除所述栅极层上表面和所述沟槽底部的第一牺牲层，保留所述沟槽侧壁的第一牺牲层；形成第二牺牲层，所述第二牺牲层填充所述沟槽，并覆盖所述栅极层和所述沟槽；去除覆盖所述栅极层和所述沟槽的第二牺牲层，保留所述沟槽内的所述第二牺牲层。本公开方案能够解决源区注入区域形成工艺中光刻工艺套刻偏离的技术问题，达到节省一张源区注入工艺的专用光罩，并提高制造良品率的技术效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117476468A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311799050.6
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及一种超结结构及其制造方法、超结半导体器件和半导体结构。所述超结结构的制造方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成第一外延层和第二外延层；形成多个沟槽，沟槽至少包括位于第二外延层中的第一部分，从而形成多个第二外延柱；在多个沟槽中填充第一外延层材料以形成多个第一外延柱，从而得到第一外延柱和第二外延柱交替排列的超结结构。本公开通过在一个超结结构内实现高度一致的第二外延柱，提高了每个超结结构的耐压能力，使得所述超结结构可以承受更高的电压，保持更低的导通电阻和更高的效率，在电力转换或传输过程中能更好地保持稳定性。
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公开(公告)号：CN117200784A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311091260.X
申请日：2023-08-25
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H03K19/08 , H03K19/094 , H03K19/173 , H03K19/003
Abstract: 本申请涉及晶体管安全检测技术领域，具体涉及一种IGBT退饱和保护方法及IGBT退饱和保护电路。所述电路包括：栅极驱动模块，用于输出栅极驱动信号，所述栅极驱动信号包括高电平信号和低电平信号；检测电路，用于检测目标IGBT的工作状态，所述目标IGBT的工作状态包括退饱和状态和饱和状态；数字逻辑控制模块，用于控制栅极驱动模块输出高电平信号或低电平信号；用于计时消隐时间和退饱和滤波时间；用于利用检测电路获取目标IGBT的工作状态。采用本发明提供的能够更好的提高退饱和检测电路的响应速度和可靠性。且不需要外接消隐电容，简化了外围的电路，降低了外围元器件的消耗。
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公开(公告)号：CN116828347B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311108437.2
申请日：2023-08-31
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H04Q9/00 , G01R31/28 , H04L67/12 , H04L69/00 , H04L67/565
Abstract: 本发明提供一种芯片可靠性试验远程监控装置、测试系统及方法，属于芯片测试数据传输与监控领域。所述监控装置包括：至少一个监控终端、MQTT服务终端和至少一个MQTT客户终端；MQTT客户终端用于向MQTT服务终端发送主题订阅请求，以及接收属于订阅主题的芯片可靠性测试数据；MQTT服务终端用于将符合芯片可靠性主题的芯片可靠性测试数据通过MQTT协议传输至MQTT客户终端；监控终端用于将芯片可靠性测试数据传输至MQTT服务终端。通过本发明提供的监控装置，实现了测试数据的定向传输和实时共享，同时，扩大了检测人员在试验期间的活动范围，以及同时监控的测试机台数量。
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公开(公告)号：CN116976276A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310896847.1
申请日：2023-07-20
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/392
Abstract: 本发明公开了一种基于电路版图的提高电路设计精度的方法。本发明首先将电路里配对的mosfet连接到测试设备中，然后在外接端点上添加应用激励，从而判断配对的两颗mosfet的性能，对其中性能相对更好的器件进行器件老化，通过老化方法使得性能相对好的器件匹配性能相对差的器件，从而消除工艺局部偏差，使得总体性能匹配。本发明主要应用于对电路性能有较高要求的芯片产品中，且本发明无需修改电路设计，操作方便，且能够真实的削减芯片的局部偏差。本发明的老化过程可以在通常的HTOL测试流程中完成，即无需增加额外的步骤，便可以对芯片级进行电路性能调整。
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公开(公告)号：CN116847715A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202311105192.8
申请日：2023-08-30
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明涉及磁存储器领域，提供一种基于交换偏置的自旋轨道矩磁存储单元、磁随机存储器。包括重金属层以及设置于重金属层上的磁隧道结，磁隧道结自下而上依次为反铁磁层、自由层、势垒层以及参考层。重金属层的宽度从重金属层的第一端至第二端逐渐增大。重金属层用于在被施加逐步增大的电流时产生不同强度的自旋轨道力矩，利用反铁磁层与自由层之间的交换偏置作用，在不同强度的自旋轨道力矩的作用下使自由层的磁矩从部分翻转逐步至全部翻转，使自由层的磁矩方向与参考层的磁矩方向平行或反平行，以实现多阻态写入。本发明通过使用具有不同宽度的重金属层，并利用交换偏置作用，实现无外场的确定性翻转和稳定的多阻态。
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