- 专利标题: 一种微米级包银锡导电颗粒的制备方法及应用
-
申请号: CN202011492977.1申请日: 2020-12-16
-
公开(公告)号: CN112735670A公开(公告)日: 2021-04-30
- 发明人: 甘国友 , 张温华 , 李俊鹏 , 余向磊 , 汤显杰 , 程君华 , 张家敏 , 杜景红 , 严继康 , 易健宏
- 申请人: 昆明理工大学 , 贵研铂业股份有限公司
- 申请人地址: 云南省昆明市五华区学府路253号;
- 专利权人: 昆明理工大学,贵研铂业股份有限公司
- 当前专利权人: 昆明理工大学,贵研铂业股份有限公司
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市五华区学府路253号;
- 代理机构: 昆明合盛知识产权代理事务所
- 代理商 龙燕
- 主分类号: H01B13/00
- IPC分类号: H01B13/00
摘要:
本发明公开一种微米级包银锡导电颗粒的制备方法及应用,属于材料制备技术领域。本发明所述方法采用喷雾法制取了粒径可控的微米级锡球,随后采用一种改进的化学还原法,在室温下合成微米级包银锡球,与双酚A环氧树脂混合后三辊闸制,得到成品各项异性导电胶膜。本发明成功解决了当前对低成本硬质Sn球进行包覆时,锡球活泼性过强在包覆过程中轻微置换,导致锡球碎裂的问题;成功使用低价锡球实现了包覆,并作为导电颗粒成功制成各向异性导电胶膜(ACF)。
公开/授权文献
- CN112735670B 一种微米级包银锡导电颗粒的制备方法及应用 公开/授权日:2023-03-24