发明授权
- 专利标题： 半导体元件及其制备方法
-
申请号： CN202010857302.6申请日： 2020-08-24
-
公开(公告)号： CN112736082B公开(公告)日： 2024-03-15
- 发明人: 叶焕勇
- 申请人： 南亚科技股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新北市
- 专利权人： 南亚科技股份有限公司
- 当前专利权人： 南亚科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新北市
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理商 谢强; 黄艳
- 主分类号： H10B12/00
- IPC分类号： H10B12/00 ; H01L23/528
摘要：
本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一埋入字元线、一堆叠纳米线结构、一第一源极/漏极区与一第二源极/漏极区，以及一位元线接触点与一电容接触点，该埋入字元线为在一基底中并沿一第一方向延伸，该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区位于该堆叠纳米线结构的相对两侧，该位元线接触点与该电容接触点分别位于该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区上；以及该半导体元件的制备方法。
公开/授权文献
- CN112736082A 半导体元件及其制备方法 公开/授权日：2021-04-30
